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[吉致動態(tài)]吉致電子藍寶石拋光 液雙面研磨與單面精磨 [
2024-09-13 18:28
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藍寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產(chǎn)生的線痕、裂紋和殘余應力等表面、亞表面損傷層，提升藍寶石晶片的表面質(zhì)量，從而達到 LED 芯片制備的表面質(zhì)量要求。CMP化學機械研磨工藝是解決藍寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一，那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的，研磨拋光耗材該怎么選？ 藍寶石襯底雙面研磨可實現(xiàn)上、下兩個平面的實時同步加工，有效減小兩個平面之間因加工引起的應力應變差，具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層，而化學機
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[吉致動態(tài)]藍寶石研磨液在CMP襯底工件的應用 [
2024-02-23 14:34
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藍寶石研磨液(又稱為藍寶石拋光 液)是用于在藍寶石襯底的減薄和研磨拋光。 藍寶石研磨液由金剛石微粉、復合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件表面產(chǎn)生劃傷。金剛石研磨液可以應用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質(zhì)玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領域的研磨和拋光。 吉致電子藍寶石研磨液在藍寶石襯底方面的應用:1.外延片生產(chǎn)前襯底的雙面研磨:用于藍寶石研磨一道或多道工序，根據(jù)最終藍寶石襯底研磨要求用6um、3
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[常見問題]藍寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液 [
2023-10-31 16:46
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氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應用廣泛，如藍寶石襯底的CMP拋光，為避免大粒徑磨料對工件造成劃傷，通常選用粒徑為50∼200nm，且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤，需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果，吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專業(yè)用于藍寶石拋光 ，氧化鋁磨料具有分布窄，粒徑小，硬度高、尺寸穩(wěn)定性好，α相轉(zhuǎn)晶完全，團聚小易分散等特點。 吉致電子對α-Al2O3顆粒的Zeta電位，以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類和質(zhì)量都有
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[行業(yè)資訊]藍寶石襯底研磨用什么拋光液 [
2023-08-25 13:36
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CMP工藝怎么研磨藍寶石襯底？需要搭配什么拋光液？藍寶石拋光 萬能公式：粗拋、中拋、精拋，每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD：①藍寶石CMP粗磨：藍寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強的吉致金剛石研磨液，搭配金剛石磨盤，速率高效果好可有效去除藍寶石表面的不平和劃痕。②藍寶石CMP中拋：這一步可以用銅盤+小粒徑的金剛石研磨液，用來去除粗拋留下的紋路，為鏡面拋光做前期準備。③藍寶石CMP精拋：CMP精拋是藍寶石襯底最后一道工序，需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來收光，呈現(xiàn)平坦無暇的鏡面效果。
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[常見問題]藍寶石拋光 用什么拋光液 [
2023-07-28 17:29
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在生產(chǎn)藍寶石襯底的時候產(chǎn)生裂痕和崩邊現(xiàn)象的比例比較高，占總是的5%-8%。我國藍寶石批量生產(chǎn)的技術還很不成熟，切割完的藍寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過CMP研磨拋光技術來達到工件平坦度，拋光過程中影響拋光質(zhì)量的因素有很多，如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉(zhuǎn)速和拋光墊的質(zhì)量等。 藍寶石晶圓的拋光需要對拋光液材質(zhì)有很高的要求，磨料太軟會導致拋光時間過長而拋光效果不理想。目前拋藍寶石合適的是鉆石拋光液，鉆石拋光液磨料是采用金剛石，有很高的硬度，搭配
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[行業(yè)資訊]藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液 [
2023-05-09 17:07
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藍寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍寶石視窗、高精度質(zhì)量藍寶石視窗是為各種光學、機械和電子應用提供了強度、耐磨性、化學惰性適用于光學和激光應用，這些藍寶石窗口設計用于關鍵的光學和激光應用。藍寶石窗口的制程中關鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝，藍寶石研磨液適合用于大批量藍寶石窗口的生產(chǎn)應用。 藍寶石拋光 液以高純度氧化硅原料制備而成，具有懸浮性好，不易結晶，易清洗等特點。用于藍寶石工件的鏡面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，無劃傷，表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍寶石窗口CMP拋光研磨液，性能穩(wěn)
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[常見問題]藍寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實現(xiàn)高平坦度表面 [
2023-04-26 11:10
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吉致電子藍寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍寶石拋光 液。專業(yè)用于藍寶石襯底、外延片、窗口、藍寶石wafer的減薄和拋光。藍寶石拋光 液由純度高的磨粒、復合分散劑和分散介質(zhì)組成，具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結晶、拋光速度快的優(yōu)點。 通過CMP工藝搭配藍寶石專用slurry可實現(xiàn)藍寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會對加工件造成物理損傷,達到精密加工。藍寶石CMP拋光液的低金屬的成分，可以有效防止產(chǎn)品受到污染。 &n
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[常見問題]藍寶石拋光 液是不是二氧化硅拋光液 [
2023-02-06 16:10
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藍寶石拋光 液是不是二氧化硅拋光液？藍寶石拋光 液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子CMP拋光液，是一種高純度的氧化硅拋光液，廣泛應用于多種材料的納米級高平坦化拋光。吉致電子生產(chǎn)的藍寶石拋光 液主要用于藍寶石襯底研磨減薄，藍寶石A向拋光液，藍寶石C向拋光液等。拋光范圍如：硅片、鍺片、化合物晶體磷化銦、砷化鎵、精密光學器件、寶石飾品、金屬鏡面等研磨拋光加工。藍寶石拋光 液Sapphire Slurry的特點：1.高純度（Cu含量小于50 ppb），有效減小對電子類產(chǎn)品的污染。2.高拋光速率，利用大粒徑的膠
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[應用案例]藍寶石晶圓研磨拋光 [
2022-12-28 13:57
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藍寶石晶片拋光的目的是將襯底的最終厚度減小到所需的目標值，具有優(yōu)于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。這些操作要求需要具有高精度，高效率和高穩(wěn)定性的機器和工藝，使用吉致電子藍寶石拋光 液和拋光墊進行CMP研磨拋光即可實現(xiàn)這一過程。 通過使用CMP拋光工藝，可以達到理想的表面粗糙度。每個拋光的藍寶石晶片在加工過程中都會有均勻一致的材料去除，并且表面光潔度始終如一。通過改變壓力負載，可以實現(xiàn)每小時1-2μm的材料去除率（MRR）。 藍寶石晶片拋光分為A向拋光和C向拋光。從
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[常見問題]吉致電子拋光液---溫度對藍寶石襯底CMP工藝的影響 [
2022-12-08 15:40
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溫度在藍寶石襯底拋光中起著非常重要的作用, 它對CMP工藝的影響體現(xiàn)在拋光的各個環(huán)節(jié)。 在CMP工藝的化學反應過程和機械去除過程這兩個環(huán)節(jié)中, 受溫度影響十分強烈。一般來說, 拋光液溫度越高, 拋光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化學腐蝕嚴重, 表面完美性差。所以, 藍寶石拋光 液/研磨液溫度必須控制在合適的范圍內(nèi), 這樣才能滿足圓晶片的平坦化要求。實驗表明, 拋光液在40℃左右的時候, 拋光速率達到了最大值, 隨著溫度繼續(xù)升高, 拋光速率的上升趨于平緩, 并且產(chǎn)生拋光液蒸騰現(xiàn)象。&nbs
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[常見問題]藍寶石拋光 液--拋光磨料粒徑、濃度及流速的影響 [
2022-12-08 11:33
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藍寶石拋光 液磨料粒徑、濃度及流速的影響研究表明，在其它條件相同情況下, 隨著藍寶石拋光 漿料濃度的增大, 拋光速率增大。對于粒徑為80nm的研磨料: 藍寶石拋光 液的質(zhì)量分數(shù)為10% 時, CMP去除速率為572.2nm /m in; 而隨著質(zhì)量分數(shù)增大至15%時,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 質(zhì)量分數(shù)繼續(xù)增大至20% 時, CMP去除速率則增大至643.3nm/min。這主要是因為藍寶石拋光 液濃度的增大, 使得拋光過程中參與機械磨削的粒子數(shù)增多, 相應的有效粒子數(shù)也增多, 粒徑一定的情況下,
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[行業(yè)資訊]藍寶石拋光 液的成分 [
2022-09-21 15:41
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藍寶石拋光 液中的主要成分有磨料、表面活性劑、螯合劑、PH調(diào)節(jié)劑等，拋光液是影響CMP（化學機械拋光）效果最重要的因素之一。評價拋光液性能好壞的指標是流動性好，分散均勻，在規(guī)定時間內(nèi)不能產(chǎn)生團聚、沉淀、分層等問題，磨料懸浮性能好，拋光速率快，易清洗且綠色環(huán)保等。 其中，磨料主要影響化學機械拋光中的機械作用。磨料的選用主要從磨料的種類、濃度以及粒徑三個方面來考慮。目前CMP拋光液中常用的磨料主要有金剛石、氧化鋁、氧化硅等單一磨料，也有氧化硅/氧化鋁混合磨料以及核殼型的復合磨料等。行業(yè)內(nèi)主流拋光
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[行業(yè)資訊]藍寶石拋光 液如何選？ [
2022-08-17 17:07
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隨著科技的發(fā)展和迭代，3C科技產(chǎn)品對玻璃面板的要求越來越高，需要硬度更高且不容易劃傷的玻璃，因此藍寶石材質(zhì)的應用和需求越來越廣泛，如手機藍寶石屏幕、藍寶石攝像頭、藍寶石手表等。藍寶石的特點是硬度高，脆性大，所以加工難度也大。 因此，很有必要研究并升級CMP拋光工藝在藍寶石窗口上的應用。目前國內(nèi)批量生產(chǎn)藍寶石襯底的技術還不成熟，切割出來的藍寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后容易形成麻點或劃痕。在藍寶石襯底的生產(chǎn)中，裂紋和崩邊的情況比較高，占總數(shù)的5%-8%。拋光過程中影響拋光質(zhì)量的因素很多，如
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吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些