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吉致電子拋光材料 源頭廠家
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吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場現(xiàn)狀
吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場現(xiàn)狀

  目前,全球磷化銦(InP)晶圓市場的cmp拋光耗材主要由少數(shù)國外廠商主導。這些國外廠商憑借先進的技術和豐富的經(jīng)驗,在產(chǎn)品質量和性能方面具有顯著優(yōu)勢。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企業(yè)在全球半導體slurry拋光液市場中具有較高的知名度和占有率。  相比之下,國內(nèi)企業(yè)的磷化銦(InP)晶圓拋光液研發(fā)起步較晚,但近年來隨著國內(nèi)半導體的快速發(fā)展,國產(chǎn)cmp拋光耗材也大量進入市場,國內(nèi)廠家也在不斷加大研發(fā)投入,努力提升拋光液、拋光墊產(chǎn)品

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杜邦IC1000拋光墊的特點及國產(chǎn)替代
杜邦IC1000拋光墊的特點及國產(chǎn)替代

  在半導體晶圓及芯片的制造過程中,CMP是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關鍵工藝,而IC1000作為一種高性能的拋光墊,為 CMP工藝的順利進行提供了有力保障。  杜邦IC1000系列拋光墊能夠存儲和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域,通過slurry的流動和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進行。在化學機械拋光過程中,拋光液中的化學成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學反應,生成較易去除的物質,而dupont IC1000 Pad為這一化學反應提供了穩(wěn)定的場所。同時,IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品,如氧化產(chǎn)物

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吉致電子鈮酸鋰LN拋光液的優(yōu)點
吉致電子鈮酸鋰LN拋光液的優(yōu)點

  鈮酸鋰晶體LiNbO3化學機械拋光液能夠顯著降低工件表面粗糙度。在CMP化學機械加工工藝的優(yōu)化下LN鈮酸鋰工件表面粗糙度得以快速降低,獲得超光滑、無損傷的表面。表面粗糙度低不僅提高了工件的外觀質量,更重要的是符合鈮酸鋰晶片高精度加工的嚴格需求。在一些對表面精度要求極高的應用領域,如光電子器件制造中,低表面粗糙度可以有效提高光的傳輸效率,減少散射損耗,提升器件的性能和可靠性。例如,在集成光路中,低損耗和高折射率對比度的光波導是構建大規(guī)模光子集成芯片的最基本單元,而超光滑的鈮酸鋰表面能夠為光波導提供更好的

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Suba800拋光墊國產(chǎn)替代一樣香
Suba800拋光墊國產(chǎn)替代一樣香

  Suba800是一款在半導體及集成電路相關領域被廣泛使用的cmp拋光墊。其作為化學機械平面研磨工藝的知名耗材,產(chǎn)品特性顯著且穩(wěn)定性高,適用于半導體硅片、晶圓、精密陶瓷、藍寶石襯底等工件的表面平坦化。  Suba800拋光墊還適用于光學和金屬材料的拋光。在光學材料的拋光中,Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面,提高光學性能。在金屬工件拋光中,Suba800能夠有效去除金屬表面的氧化膜和劃痕,使其表面更加光滑、亮麗。  無錫吉致電子科技有限公司生產(chǎn)的 Suba800國產(chǎn)替代產(chǎn)品

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DNA基因芯片cmp工藝
DNA基因芯片cmp工藝

  基因芯片又稱DNA芯或DNA微陣列。它是一種同時將大量的探針分子固定到固相支持物上,借助核酸分子雜交配對的特性對DNA樣品的序列信息進行高效解讀和分析的技術,主要應用在醫(yī)學領域、生物學研究領域和農(nóng)業(yè)領域。DNA芯片生產(chǎn)過程需要經(jīng)過CMP研磨拋光去除基板水凝膜,達到理想表面效果。 吉致電子DNA基因芯片slurry,有效去除基底涂覆的軟材料,軟材料包括但不限于聚合物、無機水凝膠或有機聚合物水凝膠等?;蛐酒心ヒ菏褂梦⒚准壞チ现苽?,粒徑均一穩(wěn)定,有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質水凝

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納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應用及特點
納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應用及特點

  吉致電子納米級氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型CMP拋光產(chǎn)品。粒度均一的SiO2磨料顆粒在CMP研磨過程中分散均勻,能達到快速拋光的目的且不會對加工件造成物理損傷。納米級硅溶膠拋光液不易腐蝕設備,提高了使用的安全性。制備工藝和配方有效提高了平坦化加工速率,快速降低表面粗糙度,且工件表面劃傷少。  吉致電子氧化硅slurry粒徑分布可控,根據(jù)不同的拋光需求,生產(chǎn)出不同粒徑大小的納米氧化硅拋光液,粒徑范圍通常在 5-100nm 之間。以氧化硅為磨料的納米拋

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吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用
吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用

吉致電子鈮酸鋰晶體化學機械拋光液在多個領域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關鍵材料。通過CMP化學機械拋光,能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度,為后續(xù)的半導體器件制造提供優(yōu)質的基礎。例如,在集成電路的生產(chǎn)中,鈮酸鋰晶體化學機械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質,達到表面平坦化效果,確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學表面提供高光潔度拋光,因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能,在光電子領域有著廣泛的應用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學元件,表面粗糙度極低

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歡度十一國慶:吉致電子與您共同慶祝祖國生日,共創(chuàng)美好未來
歡度十一國慶:吉致電子與您共同慶祝祖國生日,共創(chuàng)美好未來

親愛的吉致電子同仁、客戶、合作伙伴: 2024年10月1日,中華人民共和國迎來75周年華誕,情牽華夏心連心,值此普天同慶的時刻,我們想借此機會表達對祖國、對奮斗拼搏的各位之深深熱愛和祝福,愿我們的祖國更上一層樓! 吉致電子作為一家富有濃厚愛國情懷且正在蓬勃發(fā)展的電子科技企業(yè),我們深知自己的使命與愿景:致力于研發(fā)生產(chǎn)卓越的集成電路精密拋光產(chǎn)品,為國家半導體行業(yè)貢獻一份力。吉致電子們與祖國同呼吸、共命運,有了祖國的支持我們的cmp拋光研磨產(chǎn)品才能不斷地推陳出新,吉致電子將始終堅守初心,全力以赴為客戶

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吉致電子:CMP鉬金屬研磨液,點亮鉬材非凡光彩
吉致電子:CMP鉬金屬研磨液,點亮鉬材非凡光彩

  無錫吉致電子科技有限公司是CMP研磨液、拋光墊及CMP拋光耗材研發(fā)生產(chǎn)廠家,至今已有 20 余年的研發(fā)經(jīng)驗。  吉致電子CMP產(chǎn)品廣泛應用于金屬、光電、集成電路半導體、陶瓷、硬盤面板顯示器等材質的表面深度處理,目前已發(fā)展為集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的現(xiàn)代工業(yè)科技廠家。目前我司生產(chǎn)的鉬金屬研磨液適用于平面形態(tài)的鉬、鉬合金工件的鏡面拋光,通過  化學機械平面研磨工藝,使鉬金屬表面快速去粗和平坦化,過程簡單來說就是利用拋光設備將鉬金屬拋光液化學氧化腐蝕鉬合金表面,再通過拋光墊外力研磨去除氧

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吉致藍寶石研磨液--高效研磨與拋光的理想選擇
吉致藍寶石研磨液--高效研磨與拋光的理想選擇

藍寶石研磨液:高效研磨與拋光的理想選擇藍寶石研磨液,作為一種在精密加工領域中發(fā)揮著重要作用的研磨材料,主要用于藍寶石襯底的研磨和減薄,以實現(xiàn)其表面的高精度和高質量處理。一,組成成分藍寶石研磨液主要由以下幾部分組成:1.優(yōu)質聚晶金剛石微粉:這是研磨液的核心磨料,具有極高的硬度和耐磨性,能夠有效地去除藍寶石表面的材料,實現(xiàn)高效研磨。聚晶金剛石的獨特結構使其在研磨過程中能夠保持良好的切削性能,同時減少對工件表面的劃傷2.復合分散劑:其作用是確保聚晶金剛石微粉能夠均勻地分散在研磨液中,避免顆粒團聚,從而保證研磨液的穩(wěn)定性和

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吉致電子陶瓷覆銅板研磨液
吉致電子陶瓷覆銅板研磨液

陶瓷覆銅板 CMP 拋光液的定義,為半導體行業(yè)電子封裝使用的研磨液及拋光液,適用于陶瓷覆銅板粗拋及精拋。提高陶瓷工件表面去除率和平坦化性能,提供鏡面效果,解決電鍍銅層厚度及均勻性、表面粗糙度等拋光難題。吉致電子陶瓷覆銅板研磨液具有懸浮性好不易沉淀,顆粒分散均勻不團聚,軟硬度適中避免劃傷,拋磨過程中提高拋光速度和質量,分散性好降低微劃傷概率提高精度,無粉塵產(chǎn)生環(huán)保安全,可定制化滿足不同需求。吉致電子CMP研磨液的分類與成分:根據(jù)拋光對象分為不同類別,成分包括研磨顆粒、PH 值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑以及表面活性劑,各成

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吉致電子--共慶2024花好月圓中秋節(jié)
吉致電子--共慶2024花好月圓中秋節(jié)

  海上生明月,天涯共此時!2024中秋佳節(jié)將近,月到中秋分外明,佳節(jié)喜氣伴你行。人逢喜事精神爽,人月兩圓事業(yè)成。心寬氣順身體棒,合家幸福享天倫。  無論您在天涯海角,無錫吉致電子科技有限公司全體成員都深深祝褔您,----中秋團圓,幸福美滿,佳節(jié)快樂!無錫吉致電子科技有限公司http://m.jeffvon.com/聯(lián)系電話:17706168670郵編:214000?地址:江蘇省無錫市新吳區(qū)新榮路6號

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吉致電子藍寶石拋光液雙面研磨與單面精磨
吉致電子藍寶石拋光液雙面研磨與單面精磨

  藍寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產(chǎn)生的線痕、裂紋和殘余應力等表面、亞表面損傷層,提升藍寶石晶片的表面質量,從而達到 LED 芯片制備的表面質量要求。CMP化學機械研磨工藝是解決藍寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一,那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的,研磨拋光耗材該怎么選?  藍寶石襯底雙面研磨可實現(xiàn)上、下兩個平面的實時同步加工,有效減小兩個平面之間因加工引起的應力應變差,具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層,而化學機

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襯底與晶圓材料的選擇與特性
襯底與晶圓材料的選擇與特性

襯底材料半導體襯底材料的選擇對器件性能有重大影響。常見的襯底材料包括硅、砷化鎵、碳化硅等。硅襯底:硅SI是最常見的襯底材料,因其優(yōu)良的電學、熱學和機械特性廣泛應用于集成電路和微電子器件。硅襯底具有成本低、加工成熟、易于大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點。砷化鎵襯底:砷化鎵GaAs具有高電子遷移率和良好的光電特性,常用于高頻器件和光電器件。雖然成本較高,但在特定領域有無可替代的優(yōu)勢。碳化硅襯底:碳化硅SIC具有高硬度、高熱導率和高溫穩(wěn)定性,適用于高溫、高功率和高頻應用。碳化硅襯底的加工難度較大,但其優(yōu)異的性能使其在特定領域有著重要應用

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CMP拋光液---半導體拋光液種類有哪些
CMP拋光液---半導體拋光液種類有哪些

  半導體拋光液種類有哪些?CMP拋光液在集成電路領域的應用遠不止晶圓拋光,半導體使用的CMP制程包括氧化層(Oxide CMP)、多晶硅(Poly CMP)、金屬層(Metal CMP)。就拋光工藝而言,不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程,28nm制程需要12~13次CMP,進入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍,達到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術是用氧化物隔開各個門電路,使各門電路之間互不導通,STI CMP工藝的目標是去除填充在淺溝槽中的

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吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個步驟
吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個步驟

Cu CMP研磨工藝通常包括三步。第一步:用來磨掉晶圓表面的大部分金屬。第二步:通過降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過終點偵測技術(Endpoint)使研磨停在阻擋層上。第三步:磨掉阻擋層以及少量的介質氧化物,并用大量的去離子水(DIW)清洗研磨墊和晶圓。Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對阻擋層和介質層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液(金屬研磨液/介質研磨液)都應該含有H2O2、抗腐蝕的BTA(三唑甲基苯)以及其他添加物

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CMP拋光墊的種類及特點
CMP拋光墊的種類及特點

Cmp拋光墊種類可按材質結構主要有:聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結構的無紡布拋光墊、復合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯,聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強度高、耐磨性強、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點,是最常用的拋光墊材料之一。 圖 聚氨酯拋光墊微觀結構 在拋光過程中,聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化,并且能夠將磨料顆粒保持在拋光液中,可以實現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘渣的排出。但聚氨酯拋光墊硬度過高,拋光過程中變形小,加工過程中容

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半導體晶圓常見材質有哪些
半導體晶圓常見材質有哪些

半導體晶圓常見材質有哪些?晶圓常見的材質包括硅、藍寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導體器件的主要材料,因其易加工、價格較低等優(yōu)良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高,可重復性好,在光電子技術、光學等領域有著重要的應用。其制造過程主要包括單晶生長、切片和拋光等工序。二、藍寶石晶圓藍寶石(sapphire)是一種高硬度透明晶體,其晶格結構與GaAs、Al2O3等半導體材料相近,尤其因其較大的帶隙(3.2eV)在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應用。此外,藍寶石的高強度、高抗腐蝕性也使其成為防護材料,如用于

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吉致電子CMP拋光墊的作用
吉致電子CMP拋光墊的作用

CMP技術是指被拋光材料在化學和機械的共同作用下,工件表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。cmp拋光液中的化學成分與被拋磨工件材料表面進行化學反應,形成易去除的軟化層,拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。在CMP制程中,拋光墊的主要作用有:①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域,且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán);②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物(如拋光碎屑、拋光碎片等);③傳遞材料去除所需的機械載荷;④維持拋光過程所需的機械和化學環(huán)境。除拋光墊的力學性能以外,其表面組織

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襯底與晶圓在半導體制造中的應用
襯底與晶圓在半導體制造中的應用

  襯底和晶圓是半導體制造過程中的兩個重要概念。襯底是作為基礎層的材料,承載著芯片和器件;而晶圓則是從襯底中切割出來的圓形硅片,作為半導體芯片的主要基板。襯底通常是硅片或其他材料的薄片,而晶圓則是襯底的一部分,具有特定的尺寸和方向。襯底用于承載和沉積薄膜,而晶圓用于生長材料、制造芯片和執(zhí)行光刻等工藝步驟。 襯底的應用:承載半導體芯片:襯底是半導體芯片的基礎,提供穩(wěn)定的平臺來構建電子器件和集成電路?;A層的沉積:在制造過程中,襯底上可能需要進行一系列的薄膜沉積,如氧化物、金屬等。這些薄膜可以提供保

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