吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

吉致電子CMP拋光液在光學(xué)玻璃加工中的應(yīng)用進(jìn)展

  CMP拋光液在光學(xué)玻璃領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在實(shí)現(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超精密加工，以滿足對表面粗糙度和平坦度的高要求。CMP拋光液通過化學(xué)作用和機(jī)械研磨的有機(jī)結(jié)合，能夠有效地去除光學(xué)玻璃表面的材料，達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的效果。隨著光學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，對光學(xué)玻璃表面質(zhì)量的要求也越來越高。CMP拋光液/研磨液作為一種先進(jìn)的拋光材料，在光學(xué)玻璃領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。   在CMP拋光過程中，拋光液中的化學(xué)成分與光學(xué)玻璃表面發(fā)生反應(yīng)形成軟質(zhì)層。同時(shí)，拋光液中的磨料微粒，如納米二氧化硅

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半導(dǎo)體拋光墊---吉致電子Suba pad替代

 在半導(dǎo)體硅片、襯底、光學(xué)玻璃以及精密陶瓷等材料的加工領(lǐng)域，CMP拋光工藝是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，而CMP拋光墊（CMP Pad）則是這一環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵因素之一。其中，由陶氏公司（Dow）生產(chǎn)的SUBA拋光墊（Suba Pad）備受矚目。   陶氏公司生產(chǎn)的SUBA拋光墊在CMP化學(xué)機(jī)械研磨方面有著優(yōu)異的拋光性能，尤其在拋光半導(dǎo)體晶圓方面效果顯著。半導(dǎo)體晶圓和襯底是現(xiàn)代集成電路產(chǎn)業(yè)的基石，晶圓和襯底表面的平坦度、光潔度等直接影響芯片的性能和質(zhì)量。SUBA拋光墊憑借其獨(dú)特的材料和結(jié)構(gòu)，能夠使拋光過程達(dá)到一

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吉致電子--磷化銦拋光液在半導(dǎo)體CMP制程中的應(yīng)用

無錫吉致電子科技提供的磷化銦襯底拋光液是一種專門用于半導(dǎo)體材料磷化銦表面處理的CMP化學(xué)機(jī)械拋光漿料。它包含特定的磨料和化學(xué)成分，能夠有效去除磷化銦表面的微小缺陷和不平整，確保獲得光滑、無損傷的表面。磷化銦拋光液在半導(dǎo)體制造過程中非常重要，它直接影響到最終器件的性能和穩(wěn)定性。磷化銦襯底拋光液的選擇和使用是一個(gè)復(fù)雜的過程，需要綜合考慮多個(gè)因素，且在CMP拋磨使用時(shí)，需要根據(jù)磷化銦襯底的具體要求和拋光設(shè)備的特性來選擇合適的InP拋光液，并嚴(yán)格控制拋光過程中的參數(shù)，如溫度、壓力和拋光時(shí)間等。首先，磷化銦CMP拋光液的成分

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吉致電子---什么是金剛石懸浮液CMP研磨液

   金剛石懸浮液（CMP研磨液）是一種由人造鉆石磨粒分散于水基或油基液體中制備而成的拋光懸浮液。它在硅片、硬質(zhì)合金、高密度陶瓷、藍(lán)寶石襯底體等多個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。金剛石研磨液所含微粒是其發(fā)揮機(jī)械作用的關(guān)鍵因素。不同種類、不同粒度的金剛石微粉，拋光去除效果各不相同。例如，金剛石磨料硬度越高、粒徑越大，磨削效率越高，但加工表面光潔度越低；反之，金剛石磨料硬度越低、粒徑越小，磨削效率越低，而加工表面光潔度越高。所以，可以根據(jù)工件的具體參數(shù)選擇   不同型號(hào)和粒徑的金剛石研磨

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吉致電子--半導(dǎo)體CMP無蠟吸附墊

吉致電子無蠟吸附墊具有獨(dú)特的孔隙結(jié)構(gòu)，其吸附性能表現(xiàn)為真空狀態(tài)吸附住被拋光物件，其復(fù)合結(jié)構(gòu)與感壓膠設(shè)計(jì)在高的壓縮率及壓縮回彈率，分別適合CMP中高壓研磨制程，提供了優(yōu)異平坦化、不易沾黏、易清潔、下片容易、耐酸堿、高壽命等特性。此外，無蠟吸附墊、芯片吸附墊、硅片吸附墊的孔隙結(jié)構(gòu)還賦予其出色的透氣性和滲透性，確保了拋光過程中熱量的有效散發(fā)，避免工件因過熱而受損。感壓膠的靈活設(shè)計(jì)不僅提升了產(chǎn)品的適應(yīng)性，使其能在各種復(fù)雜表面實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定吸附

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阻尼布拋光墊：提升工件CMP表面平坦度的秘訣

  絨面拋光墊，亦稱阻尼布拋光墊，是由PU發(fā)泡微孔隙結(jié)構(gòu)與底層特殊基材相結(jié)合的獨(dú)特復(fù)合材料。其表層的細(xì)微開孔和高壓縮率特性，使得拋光液Slurry得以充分涵養(yǎng)，從而促進(jìn)機(jī)械與化學(xué)反應(yīng)的充分作用。此外，表層優(yōu)秀的研磨液流動(dòng)性有助于提升工件表面的潔凈度，降低表面粗糙度，并減少橘皮和微劃傷等缺陷。  阻尼布拋光墊廣泛應(yīng)用于各種精密加工領(lǐng)域，如半導(dǎo)體、液晶顯示屏、光學(xué)玻璃等。其優(yōu)異的拋光性能不僅能夠滿足高精度的表面處理要求，而且在提高生產(chǎn)效率和降低材料消耗方面也表現(xiàn)出色。由于其獨(dú)特的材料結(jié)構(gòu)，絨面拋光墊

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Suba800拋光墊國產(chǎn)替代一樣香

  Suba800是一款在半導(dǎo)體及集成電路相關(guān)領(lǐng)域被廣泛使用的cmp拋光墊。其作為化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝的知名耗材，產(chǎn)品特性顯著且穩(wěn)定性高，適用于半導(dǎo)體硅片、晶圓、精密陶瓷、藍(lán)寶石襯底等工件的表面平坦化。  Suba800拋光墊還適用于光學(xué)和金屬材料的拋光。在光學(xué)材料的拋光中，Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面，提高光學(xué)性能。在金屬工件拋光中，Suba800能夠有效去除金屬表面的氧化膜和劃痕，使其表面更加光滑、亮麗。  無錫吉致電子科技有限公司生產(chǎn)的 Suba800國產(chǎn)替代產(chǎn)品

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吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用

吉致電子鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導(dǎo)體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關(guān)鍵材料。通過CMP化學(xué)機(jī)械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì)，達(dá)到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學(xué)表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學(xué)元件，表面粗糙度極低

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歡度十一國慶：吉致電子與您共同慶祝祖國生日，共創(chuàng)美好未來

親愛的吉致電子同仁、客戶、合作伙伴： 2024年10月1日，中華人民共和國迎來75周年華誕，情牽華夏心連心，值此普天同慶的時(shí)刻，我們想借此機(jī)會(huì)表達(dá)對祖國、對奮斗拼搏的各位之深深熱愛和祝福，愿我們的祖國更上一層樓！ 吉致電子作為一家富有濃厚愛國情懷且正在蓬勃發(fā)展的電子科技企業(yè)，我們深知自己的使命與愿景：致力于研發(fā)生產(chǎn)卓越的集成電路精密拋光產(chǎn)品，為國家半導(dǎo)體行業(yè)貢獻(xiàn)一份力。吉致電子們與祖國同呼吸、共命運(yùn)，有了祖國的支持我們的cmp拋光研磨產(chǎn)品才能不斷地推陳出新，吉致電子將始終堅(jiān)守初心，全力以赴為客戶

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吉致電子：CMP鉬金屬研磨液，點(diǎn)亮鉬材非凡光彩

  無錫吉致電子科技有限公司是CMP研磨液、拋光墊及CMP拋光耗材研發(fā)生產(chǎn)廠家，至今已有 20 余年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。  吉致電子CMP產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬、光電、集成電路半導(dǎo)體、陶瓷、硬盤面板顯示器等材質(zhì)的表面深度處理，目前已發(fā)展為集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的現(xiàn)代工業(yè)科技廠家。目前我司生產(chǎn)的鉬金屬研磨液適用于平面形態(tài)的鉬、鉬合金工件的鏡面拋光，通過  化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝，使鉬金屬表面快速去粗和平坦化，過程簡單來說就是利用拋光設(shè)備將鉬金屬拋光液化學(xué)氧化腐蝕鉬合金表面，再通過拋光墊外力研磨去除氧

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吉致藍(lán)寶石研磨液--高效研磨與拋光的理想選擇

藍(lán)寶石研磨液:高效研磨與拋光的理想選擇藍(lán)寶石研磨液，作為一種在精密加工領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用的研磨材料，主要用于藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄，以實(shí)現(xiàn)其表面的高精度和高質(zhì)量處理。一，組成成分藍(lán)寶石研磨液主要由以下幾部分組成:1.優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉:這是研磨液的核心磨料，具有極高的硬度和耐磨性，能夠有效地去除藍(lán)寶石表面的材料，實(shí)現(xiàn)高效研磨。聚晶金剛石的獨(dú)特結(jié)構(gòu)使其在研磨過程中能夠保持良好的切削性能，同時(shí)減少對工件表面的劃傷2.復(fù)合分散劑:其作用是確保聚晶金剛石微粉能夠均勻地分散在研磨液中，避免顆粒團(tuán)聚,從而保證研磨液的穩(wěn)定性和

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吉致電子陶瓷覆銅板研磨液

陶瓷覆銅板 CMP 拋光液的定義，為半導(dǎo)體行業(yè)電子封裝使用的研磨液及拋光液，適用于陶瓷覆銅板粗拋及精拋。提高陶瓷工件表面去除率和平坦化性能，提供鏡面效果，解決電鍍銅層厚度及均勻性、表面粗糙度等拋光難題。吉致電子陶瓷覆銅板研磨液具有懸浮性好不易沉淀，顆粒分散均勻不團(tuán)聚，軟硬度適中避免劃傷，拋磨過程中提高拋光速度和質(zhì)量，分散性好降低微劃傷概率提高精度，無粉塵產(chǎn)生環(huán)保安全，可定制化滿足不同需求。吉致電子CMP研磨液的分類與成分：根據(jù)拋光對象分為不同類別，成分包括研磨顆粒、PH 值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑以及表面活性劑，各成

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吉致電子--共慶2024花好月圓中秋節(jié)

  海上生明月，天涯共此時(shí)！2024中秋佳節(jié)將近，月到中秋分外明，佳節(jié)喜氣伴你行。人逢喜事精神爽，人月兩圓事業(yè)成。心寬氣順身體棒，合家幸福享天倫。  無論您在天涯海角，無錫吉致電子科技有限公司全體成員都深深祝褔您，----中秋團(tuán)圓，幸福美滿，佳節(jié)快樂!無錫吉致電子科技有限公司http://m.jeffvon.com/聯(lián)系電話：17706168670郵編：214000?地址：江蘇省無錫市新吳區(qū)新榮路6號(hào)

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吉致電子藍(lán)寶石拋光液雙面研磨與單面精磨

  藍(lán)寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產(chǎn)生的線痕、裂紋和殘余應(yīng)力等表面、亞表面損傷層，提升藍(lán)寶石晶片的表面質(zhì)量，從而達(dá)到 LED 芯片制備的表面質(zhì)量要求。CMP化學(xué)機(jī)械研磨工藝是解決藍(lán)寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一，那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的，研磨拋光耗材該怎么選？  藍(lán)寶石襯底雙面研磨可實(shí)現(xiàn)上、下兩個(gè)平面的實(shí)時(shí)同步加工，有效減小兩個(gè)平面之間因加工引起的應(yīng)力應(yīng)變差，具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層，而化學(xué)機(jī)

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吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些

吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務(wù)及服務(wù)行業(yè)有：半導(dǎo)體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括：拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質(zhì)量嚴(yán)格管控，多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)技術(shù)，已為數(shù)家百強(qiáng)企業(yè)提供拋光解決方案并長期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列：半導(dǎo)體集成電路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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鈮酸鋰晶體怎么拋光？

 鈮酸鋰晶體拋光，用吉致電子CMP鈮酸鋰拋光液是有效方法 鈮酸鋰晶體(分子式 LiNbO3簡稱 LN)是一種具有鐵電、壓電、熱電、電光、聲電和光折變效應(yīng)等多種性質(zhì)的功能材料，是目前公認(rèn)為光電子時(shí)代"光學(xué)硅"的主要候選材料之一。它在超聲器件、光開關(guān)、光通訊調(diào)制器、二次諧波發(fā)生和光參量振蕩器等方面獲得廣泛應(yīng)用。  鈮酸鋰晶片的加工質(zhì)量和精度直接影響其器件的性能，因此鈮酸鋰的應(yīng)用要求晶片表面超光滑、無缺陷、無變質(zhì)層。目前,有關(guān)鈮酸鋰晶片的加工特性及其超光滑表面加工技術(shù)的研

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研磨液和拋光液在半導(dǎo)體芯片加工中的應(yīng)用

  磨削和研磨等磨料處理是半導(dǎo)體芯片加工過程中的一項(xiàng)重要工藝，主要是應(yīng)用化學(xué)研磨液混配磨料的方式對半導(dǎo)體表面進(jìn)行精密加工，但是研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，保證拋光的一致性、均勻性和外表粗糙度對生產(chǎn)芯片來 說是十分重要的。拋光和研磨在半導(dǎo)體生產(chǎn)中都起到重要性的作用。一、研磨工藝與拋光工藝研磨工藝是運(yùn)用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒，經(jīng)過研具與工件在一定壓力下的相對運(yùn)動(dòng)對加工件表面進(jìn)行的精整加工。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料，工件的外形有平面，內(nèi)、外圓柱面和圓錐面，凸、凹球面，螺紋，齒面及其他型

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藍(lán)寶石研磨液在CMP襯底工件的應(yīng)用

  藍(lán)寶石研磨液(又稱為藍(lán)寶石拋光液)是用于在藍(lán)寶石襯底的減薄和研磨拋光。  藍(lán)寶石研磨液由金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時(shí)不易對工件表面產(chǎn)生劃傷。金剛石研磨液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研磨和拋光。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液在藍(lán)寶石襯底方面的應(yīng)用:1.外延片生產(chǎn)前襯底的雙面研磨:用于藍(lán)寶石研磨一道或多道工序，根據(jù)最終藍(lán)寶石襯底研磨要求用6um、3

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碳化硅襯底需要CMP嗎

  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時(shí)使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。  化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實(shí)現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝

 碳化硅拋光工藝的實(shí)質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。 根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標(biāo)準(zhǔn)如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機(jī)械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機(jī)械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報(bào)道較少，相關(guān)工藝

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