吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

第三代半導體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

  隨著國家對第三代半導體材料的重視，近年來我國半導體材料市場發(fā)展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注，兩者經(jīng)常被拿來比較。  同為寬近帶半導體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導電性能好的特點。  隨著市場對半導體器件微型化、導熱性的高要求，這類材料的市場需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同：高電子遷移

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半導體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液

  拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無損傷的平坦化表面。對于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學機械平面研磨工藝來進行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導體襯底，需要經(jīng)過單晶生長、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯密度并降低表面粗糙度。  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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藍寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液

  氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應(yīng)用廣泛，如藍寶石襯底的CMP拋光，為避免大粒徑磨料對工件造成劃傷，通常選用粒徑為50∼200nm，且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤，需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果，吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專業(yè)用于藍寶石拋光，氧化鋁磨料具有分布窄，粒徑小，硬度高、尺寸穩(wěn)定性好，α相轉(zhuǎn)晶完全，團聚小易分散等特點。  吉致電子對α-Al2O3顆粒的Zeta電位，以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類和質(zhì)量都有

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吉致電子手機中框拋光液及智能穿戴設(shè)備表面處理

手機中框、智能穿戴設(shè)備表面處理，有拋光、噴砂等工藝。吉致電子3C產(chǎn)品專用拋光液及拋光耗材，速率快效果好。手機中框?qū)τ阽R面拋光要求非常高，需要達到鏡面效果，鈦合金相比其他鋁合金、不銹鋼等金屬是相對較硬的材質(zhì)手機中框鏡面拋光可以用氧化鋁拋光液搭配拋光皮達到一個高亮面的效果，其效果可達到：1.懸浮性好，不易沉淀；2.顆粒分散均勻，不團聚，軟硬度適中，有效避免拋光過程中由于顆粒團聚導致 的工件表面劃傷缺陷。3.運用拋光過程中的化學新作用，提高拋光速度，改善拋光表面的質(zhì)量。4.分散性好、乳液均一，程度提升拋光速率的同時降低微

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吉致電子--單晶金剛石研磨液的用途

  吉致電子單晶金剛石研磨液是由單晶金剛石微粉、水/油等液體配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和拋光效率。單晶金剛石硬度大、抗磨損性能好，具有良好的導熱性能和耐高溫性能，能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學性質(zhì)。  吉致電子生產(chǎn)的單晶金剛石研磨液 / 單晶金剛石拋光液 / 單晶金剛石懸浮液產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于半導體、集成電路、光學儀器，精密陶瓷，硬質(zhì)合金，LED顯示屏等多種領(lǐng)域。溶劑一般分為水基，油基，潤滑基，酒精基。金剛石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液

生物基因芯片拋光該選擇什么類型的研磨液/拋光液呢？通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等，但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過吉致電子研發(fā)和實驗，配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級磨料，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過CMP工藝可有效去除基底涂層，對基底無劃傷無殘留，吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國內(nèi)外同類產(chǎn)品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致電子--磨具拋光液 配油盤加工拋光

金屬模具研磨拋光---配油盤由強度較高的模具鋼制成，一般研磨工藝很難達到拋光效果，即使有效拋磨時間也非常漫長。吉致電子使用CMP工藝研磨液和拋光墊結(jié)合，通過不同磨料制備的液體，快速去除工件表面凹凸不平坦，達到平整光滑的效果。硬質(zhì)金屬拋光研磨使用金剛石研磨液，實現(xiàn)平面快速拋光，去毛刺和劃痕。吉致電子金剛石研磨液包括多晶、單晶、納米三種不同類型的拋光液，由優(yōu)質(zhì)的金剛石微粉復合分散劑和分散介質(zhì)組成，配方多樣化，適用不同的研拋過程和于硬質(zhì)材料的研磨和拋光。本文由無錫吉致電子科技原創(chuàng)，版權(quán)歸無錫吉致電子科技，未經(jīng)允許，不得轉(zhuǎn)

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吉致電子 Diamond slurry多晶金剛石研磨液

吉致電子多晶金剛石研磨液---由優(yōu)質(zhì)多晶金剛石微粉復合分散劑和分散介質(zhì)制備而成，廣泛適用于半導體行業(yè)、金屬行業(yè)、光電行業(yè)等工件的研磨加工。金剛石研磨液主要應(yīng)用領(lǐng)域：藍寶石加工----用于藍寶石A向、C向、R向、M向，藍寶石LED襯底、藍寶石蓋板、藍寶石窗口片。半導體加工----單晶/多晶硅、碳化硅SIC、氮化鎵晶圓片加工陶瓷材料加工--氧化鋯指紋識別片，氧化鋯陶瓷手機后殼，氮化鋁陶瓷以及其他功能陶瓷加工。光學晶體加工--硒化鋅晶體、硫化鋅晶體以及其他晶體材料加工。金屬材料加工--不銹鋼、鋁合金、硬質(zhì)合金、鎢鉬合金以

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藍寶石襯底研磨用什么拋光液

  CMP工藝怎么研磨藍寶石襯底？需要搭配什么拋光液？藍寶石拋光萬能公式：粗拋、中拋、精拋，每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD：①藍寶石CMP粗磨：藍寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強的吉致金剛石研磨液，搭配金剛石磨盤，速率高效果好可有效去除藍寶石表面的不平和劃痕。②藍寶石CMP中拋：這一步可以用銅盤+小粒徑的金剛石研磨液，用來去除粗拋留下的紋路，為鏡面拋光做前期準備。③藍寶石CMP精拋：CMP精拋是藍寶石襯底最后一道工序，需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來收光，呈現(xiàn)平坦無暇的鏡面效果。 

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半導體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別

  常用的半導體拋光液，按拋光對象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應(yīng)用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點邏輯芯片的制造工藝，而鎢拋光液W slurry則大量應(yīng)用于存儲芯片制造工藝，在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液，主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來腐蝕溶解銅表面，成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜，鈍化膜的形成可以保護腐蝕劑的進一步腐蝕，并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外，CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學試劑以調(diào)節(jié)PH值，為拋光過程

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打磨碳化硅需要哪種拋光墊？

  打磨碳化硅需要哪種拋光墊？  打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序：粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊：粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊  吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價比等優(yōu)勢。結(jié)合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點，可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無紡布復合拋光墊，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。  壓紋和開槽工藝，讓PAD可保持拋光

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二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同

  二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子高純度CMP拋光產(chǎn)品。 硅溶膠拋光液是以液體形式存在，直徑為10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有機液體（分散介質(zhì)）里的分散體系，粒子的形貌多為球形，適用于各類工件的鏡面拋光，如金屬、藍寶石襯底、半導體、光學玻璃、精密電子元器件等的鏡面拋光。 本質(zhì)上講二氧化硅拋光液、硅溶膠拋光液都是一種東西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨拋光工藝中，機器通過壓力泵把氧化硅拋光液輸送到拋光槽內(nèi)進行循環(huán)使用，

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碳化硅Sic襯底加工流程有哪些

碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法生長碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片，簡單流程可概括為原料合成→晶體生長→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高溫下反應(yīng)合成碳化硅顆粒。再經(jīng)過破碎、清洗等工序，制得滿足晶體生長要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長以高純度碳化硅微粉為原料，使用自主研制的晶體生長爐，采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長爐內(nèi)圓柱狀密閉的石墨甘場下部和頂部，通過電磁感應(yīng)將

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半導體拋光---硅片拋光墊怎么選

  硅片拋光涉及到半導體工件的技術(shù)加工領(lǐng)域，硅片拋光墊的多孔結(jié)構(gòu)和軟性磨料材料，可以適應(yīng)不同硅片材料的表面結(jié)構(gòu)，達到不同表面加工的需求。在微電子、半導體、光電等領(lǐng)域中，CMP拋光墊的使用越來越廣泛，尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中，CMP拋光墊的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。   硅片拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的

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吉致電子---常見的半導體研磨液有哪些

  吉致電子半導體研磨液有哪些？常見的CMP研磨液有氧化鋁研磨液，金剛石研磨液，藍寶石研磨液。分別用于磨削工件、半導體制程、光學玻璃晶圓等工件加工。  其中金剛石研磨液，它的硬度非常高，性能穩(wěn)定切削力強，被廣泛應(yīng)用于led工業(yè)、半導體產(chǎn)業(yè)、光學玻璃和寶石加工業(yè)、機械加工業(yè)等不同行業(yè)中。研磨液是半導體加工生產(chǎn)過程中的一項非常重要工藝，它主要是通過CMP研磨液混配磨料的方式對半導體表面進行精密加工，達到平坦度。研磨液是影響半導體表面工作質(zhì)量的重要經(jīng)濟因素。吉致電子用經(jīng)驗和技術(shù)服務(wù)每一位客戶，有CMP

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藍寶石拋光用什么拋光液

  在生產(chǎn)藍寶石襯底的時候產(chǎn)生裂痕和崩邊現(xiàn)象的比例比較高，占總是的5%-8%。我國藍寶石批量生產(chǎn)的技術(shù)還很不成熟，切割完的藍寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過CMP研磨拋光技術(shù)來達到工件平坦度，拋光過程中影響拋光質(zhì)量的因素有很多，如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉(zhuǎn)速和拋光墊的質(zhì)量等。  藍寶石晶圓的拋光需要對拋光液材質(zhì)有很高的要求，磨料太軟會導致拋光時間過長而拋光效果不理想。目前拋藍寶石合適的是鉆石拋光液，鉆石拋光液磨料是采用金剛石，有很高的硬度，搭配

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半導體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中

  國內(nèi)半導體制造的崛起加速推動了半導體材料的國產(chǎn)化進程。在政策、資金以及市場需求的帶動下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，帶動上游材料需求增長。先進制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增，國產(chǎn)替代進行中。  CMP拋光墊（CMP PAD）一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等，高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導體制作、平面顯示器、玻璃光學、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè)，目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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CMP在半導體晶圓制程中的作用

  化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講，半導體晶圓制程可分為前道和后道 2 個環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注

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鎢鋼用什么研磨液和拋光液

  硬質(zhì)合金也就是鎢鋼，在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用非常廣泛，如鋼鐵、交通、建筑等領(lǐng)域?qū)τ操|(zhì)合金的需求愈發(fā)旺盛，隨著對深加工產(chǎn)品需求的高漲，硬質(zhì)合金將向精深加工、工具配套方向發(fā)展;向超細、超粗及涂層復合結(jié)構(gòu)等方向發(fā)展;向循環(huán)經(jīng)濟、節(jié)能環(huán)保方向發(fā)展;向精密化、小型化方向發(fā)展。那么鎢鋼研磨用什么拋光液？  鎢鋼用于高精度機械加工、高精度刀具材料、車床、沖擊鉆鉆頭、玻璃刀刀頭、瓷磚割刀之上。這類硬質(zhì)工件需要經(jīng)過研磨拋光工藝來達到使用標準。鎢鋼特點是耐磨、硬度高、韌性強，耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，尤其它的高硬度和耐

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TSV拋光液---半導體3D封裝技術(shù)Slurry

  TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。  TSV工藝的優(yōu)勢：可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子JEEZ用于3D封裝

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