CMP化學機械拋光在半導體領域的重要作用
化學機械拋光(CMP)是半導體晶圓制造的關鍵步驟,這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整,達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術的關鍵耗材,分別占CMP耗材49%和33%的價值量,CMP耗材品質直接影響拋光效果,對提高晶圓制造質量至關重要。
CMP拋光液/墊技術壁壘較高,高品質的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。
CMP拋光液的類別:根據(jù)應用領域,拋光液可分為硅拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、鎢拋光液、鈷拋光液、介質層(TDL)拋光液、淺槽隔離層(STI)拋光液和3D封裝硅通孔(TSV)拋光液。硅拋光液主要用于對硅晶圓的初步加工;銅及銅阻擋層拋光液主要用于對銅和銅阻擋層進行拋光;鎢拋光液主要用于制造存儲芯片,在邏輯芯片中只用于部分工藝段;鈷拋光液主要用于10nm節(jié)點以下芯片。
隨著制程不斷迭代,未來拋光材料將往專用化和定制化方向發(fā)展,吉致電子專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)CMP拋光液及拋光耗材,為解決半導體晶圓拋光難題而努力!
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