拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無損傷的平坦化表面。對于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學(xué)機械平面研磨工藝來進行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達到理想的表面粗糙度。

磷化銦INP作為半導(dǎo)體襯底，需要經(jīng)過單晶生長、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯密度并降低表面粗糙度。

  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁作為磨料，由于氧化鋁本身的莫氏硬度要大于二氧化硅，所以也要采用化學(xué)作用較強的氧化劑與之匹配。在清洗方面氧化鋁拋光液不同于硅溶膠，不會在芯片表面有一層吸附層，所以在最后芯片的清洗方面有著明顯的優(yōu)勢。

  吉致電子半導(dǎo)體拋光液針對不同晶圓配制專業(yè)CMP拋光液：鈮酸鋰拋光液、磷化銦拋光液、砷化鎵拋光液、碳化硅SiC拋光液等，免費咨詢17706168670申領(lǐng)樣品。

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