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吉致電子拋光材料 源頭廠家
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吉致電子--磨具拋光液 配油盤加工拋光
吉致電子--磨具拋光液 配油盤加工拋光

金屬模具研磨拋光---配油盤由強度較高的模具鋼制成,一般研磨工藝很難達到拋光效果,即使有效拋磨時間也非常漫長。吉致電子使用CMP工藝研磨液和拋光墊結(jié)合,通過不同磨料制備的液體,快速去除工件表面凹凸不平坦,達到平整光滑的效果。硬質(zhì)金屬拋光研磨使用金剛石研磨液,實現(xiàn)平面快速拋光,去毛刺和劃痕。吉致電子金剛石研磨液包括多晶、單晶、納米三種不同類型的拋光液,由優(yōu)質(zhì)的金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成,配方多樣化,適用不同的研拋過程和于硬質(zhì)材料的研磨和拋光。本文由無錫吉致電子科技原創(chuàng),版權(quán)歸無錫吉致電子科技,未經(jīng)允許,不得轉(zhuǎn)

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吉致電子 Diamond slurry多晶金剛石研磨液
吉致電子 Diamond slurry多晶金剛石研磨液

吉致電子多晶金剛石研磨液---由優(yōu)質(zhì)多晶金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)制備而成,廣泛適用于半導(dǎo)體行業(yè)、金屬行業(yè)、光電行業(yè)等工件的研磨加工。金剛石研磨液主要應(yīng)用領(lǐng)域:藍寶石加工----用于藍寶石A向、C向、R向、M向,藍寶石LED襯底、藍寶石蓋板、藍寶石窗口片。半導(dǎo)體加工----單晶/多晶硅、碳化硅SIC、氮化鎵晶圓片加工陶瓷材料加工--氧化鋯指紋識別片,氧化鋯陶瓷手機后殼,氮化鋁陶瓷以及其他功能陶瓷加工。光學(xué)晶體加工--硒化鋅晶體、硫化鋅晶體以及其他晶體材料加工。金屬材料加工--不銹鋼、鋁合金、硬質(zhì)合金、鎢鉬合金以

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藍寶石襯底研磨用什么拋光液
藍寶石襯底研磨用什么拋光液

  CMP工藝怎么研磨藍寶石襯底?需要搭配什么拋光液?藍寶石拋光萬能公式:粗拋、中拋、精拋,每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD:①藍寶石CMP粗磨:藍寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強的吉致金剛石研磨液,搭配金剛石磨盤,速率高效果好可有效去除藍寶石表面的不平和劃痕。②藍寶石CMP中拋:這一步可以用銅盤+小粒徑的金剛石研磨液,用來去除粗拋留下的紋路,為鏡面拋光做前期準備。③藍寶石CMP精拋:CMP精拋是藍寶石襯底最后一道工序,需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來收光,呈現(xiàn)平坦無暇的鏡面效果。 

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半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別
半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別

  常用的半導(dǎo)體拋光液,按拋光對象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應(yīng)用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點邏輯芯片的制造工藝,而鎢拋光液W slurry則大量應(yīng)用于存儲芯片制造工藝,在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液,主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來腐蝕溶解銅表面,成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜,鈍化膜的形成可以保護腐蝕劑的進一步腐蝕,并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外,CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)PH值,為拋光過程

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打磨碳化硅需要哪種拋光墊?
打磨碳化硅需要哪種拋光墊?

  打磨碳化硅需要哪種拋光墊?  打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序:粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊:粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊  吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求,具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價比等優(yōu)勢。結(jié)合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點,可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無紡布復(fù)合拋光墊,提供更快磨合的全局平坦性,提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。  壓紋和開槽工藝,讓PAD可保持拋光

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二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同
二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同

  二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子高純度CMP拋光產(chǎn)品。 硅溶膠拋光液是以液體形式存在,直徑為10-150nm的二氧化硅粒子(分散相)在水或有機液體(分散介質(zhì))里的分散體系,粒子的形貌多為球形,適用于各類工件的鏡面拋光,如金屬、藍寶石襯底、半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃、精密電子元器件等的鏡面拋光。 本質(zhì)上講二氧化硅拋光液、硅溶膠拋光液都是一種東西,主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨拋光工藝中,機器通過壓力泵把氧化硅拋光液輸送到拋光槽內(nèi)進行循環(huán)使用,

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碳化硅Sic襯底加工流程有哪些
碳化硅Sic襯底加工流程有哪些

碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料,采用物理氣相傳輸法生長碳化硅晶體,加工制成碳化硅晶片,簡單流程可概括為原料合成→晶體生長→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合,在 2000C以上的高溫下反應(yīng)合成碳化硅顆粒。再經(jīng)過破碎、清洗等工序,制得滿足晶體生長要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長以高純度碳化硅微粉為原料,使用自主研制的晶體生長爐,采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長爐內(nèi)圓柱狀密閉的石墨甘場下部和頂部,通過電磁感應(yīng)將

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半導(dǎo)體拋光---硅片拋光墊怎么選
半導(dǎo)體拋光---硅片拋光墊怎么選

  硅片拋光涉及到半導(dǎo)體工件的技術(shù)加工領(lǐng)域,硅片拋光墊的多孔結(jié)構(gòu)和軟性磨料材料,可以適應(yīng)不同硅片材料的表面結(jié)構(gòu),達到不同表面加工的需求。在微電子、半導(dǎo)體、光電等領(lǐng)域中,CMP拋光墊的使用越來越廣泛,尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中,CMP拋光墊的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。   硅片拋光墊的主要作用有:①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域,且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán);②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物(如拋光碎屑、拋光碎片等);③傳遞材料去除所需的

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吉致電子---常見的半導(dǎo)體研磨液有哪些
吉致電子---常見的半導(dǎo)體研磨液有哪些

  吉致電子半導(dǎo)體研磨液有哪些?常見的CMP研磨液有氧化鋁研磨液,金剛石研磨液,藍寶石研磨液。分別用于磨削工件、半導(dǎo)體制程、光學(xué)玻璃晶圓等工件加工。  其中金剛石研磨液,它的硬度非常高,性能穩(wěn)定切削力強,被廣泛應(yīng)用于led工業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、光學(xué)玻璃和寶石加工業(yè)、機械加工業(yè)等不同行業(yè)中。研磨液是半導(dǎo)體加工生產(chǎn)過程中的一項非常重要工藝,它主要是通過CMP研磨液混配磨料的方式對半導(dǎo)體表面進行精密加工,達到平坦度。研磨液是影響半導(dǎo)體表面工作質(zhì)量的重要經(jīng)濟因素。吉致電子用經(jīng)驗和技術(shù)服務(wù)每一位客戶,有CMP

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藍寶石拋光用什么拋光液
藍寶石拋光用什么拋光液

  在生產(chǎn)藍寶石襯底的時候產(chǎn)生裂痕和崩邊現(xiàn)象的比例比較高,占總是的5%-8%。我國藍寶石批量生產(chǎn)的技術(shù)還很不成熟,切割完的藍寶石晶片有很深的加工痕跡,拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過CMP研磨拋光技術(shù)來達到工件平坦度,拋光過程中影響拋光質(zhì)量的因素有很多,如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉(zhuǎn)速和拋光墊的質(zhì)量等。  藍寶石晶圓的拋光需要對拋光液材質(zhì)有很高的要求,磨料太軟會導(dǎo)致拋光時間過長而拋光效果不理想。目前拋藍寶石合適的是鉆石拋光液,鉆石拋光液磨料是采用金剛石,有很高的硬度,搭配

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半導(dǎo)體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中
半導(dǎo)體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中

  國內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動了半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化進程。在政策、資金以及市場需求的帶動下,我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,帶動上游材料需求增長。先進制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增,國產(chǎn)替代進行中。  CMP拋光墊(CMP PAD)一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等,高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè),目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等,其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用
CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用

  化學(xué)機械拋光(CMP)是實現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝,通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用,利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講,半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造,后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負責(zé)對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注

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鎢鋼用什么研磨液和拋光液
鎢鋼用什么研磨液和拋光液

  硬質(zhì)合金也就是鎢鋼,在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用非常廣泛,如鋼鐵、交通、建筑等領(lǐng)域?qū)τ操|(zhì)合金的需求愈發(fā)旺盛,隨著對深加工產(chǎn)品需求的高漲,硬質(zhì)合金將向精深加工、工具配套方向發(fā)展;向超細、超粗及涂層復(fù)合結(jié)構(gòu)等方向發(fā)展;向循環(huán)經(jīng)濟、節(jié)能環(huán)保方向發(fā)展;向精密化、小型化方向發(fā)展。那么鎢鋼研磨用什么拋光液?  鎢鋼用于高精度機械加工、高精度刀具材料、車床、沖擊鉆鉆頭、玻璃刀刀頭、瓷磚割刀之上。這類硬質(zhì)工件需要經(jīng)過研磨拋光工藝來達到使用標準。鎢鋼特點是耐磨、硬度高、韌性強,耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能,尤其它的高硬度和耐

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TSV拋光液---半導(dǎo)體3D封裝技術(shù)Slurry
TSV拋光液---半導(dǎo)體3D封裝技術(shù)Slurry

  TSV全稱為:Through -Silicon-Via,中文譯為:硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連,實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合(Wire Bonding)、TAB和倒裝芯片(FC)之后的第四代封裝技術(shù)。  TSV工藝的優(yōu)勢:可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度,減小信號延遲,降低電容電感,實現(xiàn)芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子JEEZ用于3D封裝

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CMP常用化學(xué)拋光液有哪些
CMP常用化學(xué)拋光液有哪些

   CMP技術(shù)(化學(xué)機械研磨)是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中非常重要的一項技術(shù),在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用最多,通過CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì),達到工件表面平坦化,保證晶體管等器件的性能穩(wěn)定性。   拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分,它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物,以達到平坦化的效果。CMP常用化學(xué)拋光液有哪些?常見的CMP化學(xué)拋光液有氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鈰(CeO2)氮化硅(Si3N4)等。不同的

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如何解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題
如何解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題

 二氧化硅拋光液在拋光過程中會出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊的現(xiàn)象,雖然不是大問題但如果處理不當(dāng),很可能會導(dǎo)致工件表面劃傷甚至報廢,那么怎么解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題呢?  首先要了解硅溶膠拋光液的特點屬性。二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經(jīng)水解法離子、交換法制備成的一種高純度低金屬離子型產(chǎn)品。在水性環(huán)境中容易形成一種離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),而一脫離了水份,表面積迅速凝結(jié)形成結(jié)晶塊,所以只要保持水分基本上是不會出現(xiàn)結(jié)晶現(xiàn)象。在實際CMP拋光工藝當(dāng)中硅溶膠拋光液會一直在研磨盤轉(zhuǎn)動、流動,結(jié)晶情況較少。  因此氧化

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藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液
藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液

 藍寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍寶石視窗、高精度質(zhì)量藍寶石視窗是為各種光學(xué)、機械和電子應(yīng)用提供了強度、耐磨性、化學(xué)惰性適用于光學(xué)和激光應(yīng)用,這些藍寶石窗口設(shè)計用于關(guān)鍵的光學(xué)和激光應(yīng)用。藍寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝,藍寶石研磨液適合用于大批量藍寶石窗口的生產(chǎn)應(yīng)用。  藍寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成,具有懸浮性好,不易結(jié)晶,易清洗等特點。用于藍寶石工件的鏡面研磨,研磨后的工件表面粗糙度低,無劃傷,表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍寶石窗口CMP拋光研磨液,性能穩(wěn)

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藍寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實現(xiàn)高平坦度表面
藍寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實現(xiàn)高平坦度表面

  吉致電子藍寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍寶石拋光液。專業(yè)用于藍寶石襯底、外延片、窗口、藍寶石wafer的減薄和拋光。藍寶石拋光液由純度高的磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成,具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點。   通過CMP工藝搭配藍寶石專用slurry可實現(xiàn)藍寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會對加工件造成物理損傷,達到精密加工。藍寶石CMP拋光液的低金屬的成分,可以有效防止產(chǎn)品受到污染。  &n

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什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些?
什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些?

  Oxide slurry 簡稱OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光,拋光研磨后達到精準的表面平整度和厚度控制,如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導(dǎo)體拋光液性能優(yōu)點:①使用純度高的納米拋光磨料,擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無缺陷的表面;③ 吉致Oxide slurry 易清洗無殘留,對后續(xù)工藝影響小。 

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第三代半導(dǎo)體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液
第三代半導(dǎo)體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液

  隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限,同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要,以化合物半導(dǎo)體材料,特別是第三代半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起。  碳化硅是新型電力系統(tǒng),特高壓電網(wǎng)必需的可達萬伏千安等級的唯一功率半導(dǎo)體材料,同時也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國際技術(shù)發(fā)展水平來看,碳化硅方面,8英寸襯底開始產(chǎn)業(yè)化,車規(guī)級功率器件是當(dāng)前開發(fā)重點,多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品,碳化硅器件正向耐受更高電壓

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