吉致電子LN鈮酸鋰拋光液，CMP精密加工好助手

  鈮酸鋰化學(xué)式為L(zhǎng)iNbO₃簡(jiǎn)稱LN，具有良好的非線性光學(xué)性質(zhì)，可用作光波導(dǎo)材料，或用于制作中低頻聲表濾波器、大功率耐高溫超聲換能器等。鈮酸鋰摻雜技術(shù)如今被廣泛應(yīng)用。Mg:LN提高抗激光損傷閾值，優(yōu)化在非線性光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用；Nd:Mg:LN晶體可實(shí)現(xiàn)自倍頻效應(yīng)；Fe:LN晶體可用于光學(xué)體全息存儲(chǔ)。CMP研磨液拋光液能平坦化鈮酸鋰晶圓表面凹陷，晶圓快速達(dá)到理想粗糙度。

  8寸鈮酸鋰晶圓在光電子器件和集成電路領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。相較于較小尺寸的晶圓，8英寸鈮酸鋰晶圓具有明顯的優(yōu)勢(shì)。首先，它擁有更大的面積，能夠容納更多的器件和集成電路，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)量。其次，尺寸更大的晶圓可以實(shí)現(xiàn)更高的器件密度，提升集成度和器件性能。此外，8英寸鈮酸鋰晶圓具有更好的一致性，減少了制造過(guò)程中的變異性，提高了產(chǎn)品的可靠性和一致性。吉致電子為半導(dǎo)體行業(yè)/鈮酸鋰晶體晶圓制備的化學(xué)機(jī)械拋光液/LN Slurry組合漿料，適用于LiNbO3精密/超精密領(lǐng)域的平坦化高效加工。設(shè)計(jì)滿足鈮酸鋰（LiNbO3）晶圓提高材料去除率，降低表面粗糙度，獲得超光滑表面。

  在光電子器件制造中對(duì)表面精度要求極高，CMP研磨拋光后的鈮酸鋰晶圓獲得的低表面粗糙度可以有效提高光的傳輸效率，減少散射損耗，提升器件的性能和可靠性。在集成光路中，低損耗和高折射率對(duì)比度的光波導(dǎo)是構(gòu)建大規(guī)模光子集成芯片的最基本單元，而超光滑的鈮酸鋰表面能夠?yàn)楣獠▽?dǎo)提供更好的性能支持。

吉致電子鈮酸鋰拋光液特點(diǎn)——

1.用于大規(guī)模制造LiNbO₃晶片的高性能CMP拋光漿料。

2.經(jīng)特殊工藝合成，納米顆粒呈球形，單分散，大小均勻，粒徑分布窄，可獲得高質(zhì)量的拋光精度。

3.實(shí)現(xiàn)高去除率，無(wú)亞表面損傷，并提供出色的穩(wěn)定性。

4.PH、粒徑、穩(wěn)定離子等可以根據(jù)要求定制。

5.適合與各種吉致電子拋光墊配合拋光使用。

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