半導(dǎo)體拋光液種類有哪些？

CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠不止晶圓拋光，半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達到25~30次。

STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化
  STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開各個門電路，使各門電路之間互不導(dǎo)通，STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的過量電介質(zhì)，并通過在晶體管之間創(chuàng)建電介質(zhì)隔離來分離兩個相鄰的有源器件區(qū)域。隨著技術(shù)向先進節(jié)點的發(fā)展，由于晶體管區(qū)域之間的距離更小，對STI CMP的性能要求變得更加嚴格。

STI CMP的第一步最重要的工藝性能是確保氧化膜層的均勻性和盡可能少的劃痕，第二步是去除剩余的氧化物并暴露活性氮化物，同時在溝槽中的氧化物產(chǎn)生盡可能小的凹陷。由于第二步CMP與氮化物直接接觸，任何拋光劃痕都可能對器件質(zhì)量有害，并最終對晶圓良率造成影響。

ILD CMP Slurry---層間介質(zhì)平坦化
  介質(zhì)層是硅器件與金屬層之間及金屬層與金屬層的電絕緣層，也稱為層間介質(zhì)ILD，SiO2是最為常見的層間介質(zhì)，應(yīng)用于做絕緣膜或隔離層，其平整度將影響后續(xù)金屬層的制造。ILD CMP主要目的是平坦化ILD氧化物層，主要研磨二氧化硅（Oxide），將Oxide研磨至一定厚度，從而達到平坦化。

IMD CMP Slurry---金屬內(nèi)介電層平坦化
  隨著集成電路集成度的增加，需要更多層的金屬連線才能完成微處理器內(nèi)各個元件間的相互連接，多層內(nèi)連線在連接過程中，必須避免金屬線直接接觸而發(fā)生短路現(xiàn)象，金屬層之間必須用絕緣體加以隔離，用來隔離金屬層的介電材質(zhì)，稱為“金屬間介電層”。其層間介質(zhì)通常常用SiO₂，因此IMD CMP與ILD CMP過程類似。

Poly CMP Slurry---多晶硅平坦化
  將STI過程的溝槽加深，以CVD方式沉積氧化硅或氮化硅后，再以多晶硅作為堆積材料，用CMP去除深溝外多余的多晶硅，并以在硅晶片上及溝槽內(nèi)長成的氧化硅或氮化硅膜作為CMP的拋光停止層即終點，此方法常見于溝槽電容的制造過程中。

Metal CMP Poly CMP Slurry---金屬膜拋光
  在半導(dǎo)體工藝中常用作導(dǎo)線的金屬有鋁、鎢、銅，CMP除了能將金屬導(dǎo)線平整化以外，還能制作（兩層電路）導(dǎo)線間連接的“接觸窗”，即在兩層電路間的絕緣膜上蝕刻出接觸窗的凹槽，再以CVD方式將用作導(dǎo)線材料的金屬沉積其中，最后再以CMP去除多余的金屬層。Metal CMP是對金屬層進行拋光，主要包括鎢（W）和鎢阻擋層CMP、銅（Cu）和銅阻擋層CMP、鋁（Al）CMP等。

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