SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個(gè)步驟：晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。吉致電子拋光耗材應(yīng)用于碳化硅襯底的CMP研磨及CMP拋光步驟。

1.晶面定向：使用 X 射線衍射法為晶錠定向，當(dāng)一束 X 射線入射到需要定向的晶面后，通過衍射光束的角度來確定晶面的晶向。

2.外圓滾磨：在石墨坩堝中生長的單晶的直徑大于標(biāo)準(zhǔn)尺寸，通過外圓滾磨將直徑減小到標(biāo)準(zhǔn)尺寸。

3.端面磨：SiC 襯底一般有兩個(gè)定位邊，主定位邊與副定位邊，通過端面磨開出定位邊。

4.線切割：線切割是碳化硅SiC 襯底加工過程中一道較為重要的工序。

線切過程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面損傷等都會(huì)對后續(xù)工藝造成不利影響，一方面會(huì)延長后續(xù)工藝所需的時(shí)間，另一方面會(huì)造成晶片本身的損耗。目前，最常用的碳化硅線切工藝是往復(fù)式金剛石固結(jié)磨料多線切割。主要通過固結(jié)有金剛石磨料的金屬線的往復(fù)運(yùn)動(dòng)對 4H-SiC 晶錠進(jìn)行切割。線切出的晶片厚度在500μm 左右，晶圓表面存在大量的線切劃痕和較深的亞表面損傷。

5.倒角：為防止在后續(xù)加工過程中，晶片邊緣發(fā)生崩邊裂紋等現(xiàn)象，同時(shí)為了減小后續(xù)工藝中研磨墊、拋光墊等的損耗，需要將線切后鋒利的晶片邊緣磨削成指定形狀。

6.減?。禾蓟杈уV的線切工藝在晶片表面留下大量劃痕及亞表面損傷，使用金剛石砂輪進(jìn)給進(jìn)行減薄，主要目的是盡可能去除這部分劃痕及損傷。

7.CMP研磨：研磨過程分為粗磨和精磨，具體工藝與減薄類似，但是使用粒徑更小的碳化硼或金剛石磨料，更低的去除速率，主要去除減薄工藝中未能去除的損傷及新引入的損傷。（推薦吉致JZ8003粗磨液 / 吉致JZ8001精磨液）

8.CMP拋光：拋光是 SiC 襯底加工的最后一道工序，同樣分為粗拋和精拋。晶片表面在拋光液的作用下產(chǎn)生較軟的氧化層，氧化層在氧化鋁或氧化硅磨粒的機(jī)械作用下被去除。在這一工序完成后，襯底表面基本不存在劃痕和亞表面損傷，有著極低的表面粗糙度，是實(shí)現(xiàn) SiC襯底表面超光滑無損傷的關(guān)鍵工藝。（推薦吉致JZ8010粗拋液 吉致JZ8020A、J8020B精拋液）

9.清洗：去除加工過程殘留的顆粒、金屬、氧化膜和有機(jī)物等污染物。

 吉致電子選用優(yōu)質(zhì)磨料制備成的CMP拋光液，在碳化硅研磨和拋光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高的表面質(zhì)量度，同時(shí)顯著提供材料的去除率?？筛鶕?jù)客戶要求定制碳化硅拋光液產(chǎn)品，常用碳化硅拋光液粒度包括0.5-1μm、1μm、2-4μm、5μm等。

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