CMP技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，材料表面達(dá)到所要求的平整度的一個工藝過程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。

 在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：

①傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；

②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如工件碎屑、拋光碎片等）；

③使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個拋光液循環(huán)；

④維持拋光過程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。

  除拋光墊的力學(xué)性能以外，其表面組織特征，如微孔形狀、孔隙率、溝槽形狀等，可通過影響拋光液流動和分布，來決定拋光效率和平坦性指標(biāo)。

  拋光墊（Pad）必須對拋光液（Slurry）具有良好的保持性，在加工時可以涵養(yǎng)足夠的拋光液，使CMP中的機(jī)械和化學(xué)反應(yīng)充分作用。為了保持拋光過程的穩(wěn)定性、均勻性和可重復(fù)性，拋光墊材料的物理性質(zhì)、化學(xué)性質(zhì)以及表面形貌等特性，都需要保持穩(wěn)定。

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