CMP設(shè)備及耗材對半導(dǎo)體硅片拋磨有影響嗎?
CMP設(shè)備及耗材對半導(dǎo)體硅片拋磨影響嗎?
CMP工藝離不開設(shè)備機臺及耗材,其中耗材主要包括拋光墊slurry和拋光液Pad。
影響半導(dǎo)體晶圓CMP效果主要因素如下:
①設(shè)備參數(shù):拋光時間、研磨盤轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等;
②研磨液參數(shù):磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯系數(shù)等 ;
③拋光墊參數(shù):硬度、密度、空隙大小、彈性等;
④CMP對象薄膜參數(shù):種類、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。
半導(dǎo)體晶圓CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等,對CMP工藝效應(yīng)有關(guān)鍵影響。
1. CMP拋光液:Slurry是研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物,可使晶圓表面產(chǎn)生一層氧化膜,再由拋光液中的磨粒去除,達到拋光的目的。半導(dǎo)體拋光液的成分不同,拋磨效果也不同。
2. CMP拋光墊:Pad主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩(wěn)定的拋光環(huán)境等;
3. CMP鉆石碟:是CMP工藝中必不可少的耗材,用于維持拋光墊表面一定的粗糙狀態(tài),通常與CMP拋光墊配套使用。
4. CMP清洗液:主要用于去除殘留在晶圓表面的微塵顆粒、有機物、無機物、金屬離子、氧化物等雜質(zhì),滿足集成電路制造對清潔度的極高要求,對晶圓生產(chǎn)的良率起到了重要的作用。
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