藍(lán)寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產(chǎn)生的線痕、裂紋和殘余應(yīng)力等表面、亞表面損傷層，提升藍(lán)寶石晶片的表面質(zhì)量，從而達(dá)到 LED 芯片制備的表面質(zhì)量要求。CMP化學(xué)機(jī)械研磨工藝是解決藍(lán)寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一，那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的，研磨拋光耗材該怎么選？

  藍(lán)寶石襯底雙面研磨可實(shí)現(xiàn)上、下兩個平面的實(shí)時同步加工，有效減小兩個平面之間因加工引起的應(yīng)力應(yīng)變差，具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層，而化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的材料去除厚度只有(3~5)um顯然不能夠滿足去除雙面研磨加工損傷層的要求。

  單面精研磨即銅盤研磨，其加工精度和材料去除厚度介于雙面研磨和化學(xué)機(jī)械拋光兩者之間，因此采用單面精研磨作為過渡工藝，對晶片表面做進(jìn)一步處理，從而滿足化學(xué)機(jī)械拋光對晶片表面前處理的質(zhì)量要求;晶片經(jīng)銅盤研磨后，表面損傷層厚度降至數(shù)微米，但其內(nèi)在微觀質(zhì)量仍需進(jìn)一步提高，采用化學(xué)機(jī)械粗拋光去除銅盤研磨過程中殘留的損傷層;最后通過化學(xué)機(jī)械精拋光完成晶片超光滑無損傷鏡面表面的加工，使晶片表面粗糙度降低至亞納米級。

  不論是雙面研磨亦或是單面精磨，選擇精確的CMP研磨耗材是關(guān)鍵。使用吉致電子藍(lán)寶粗拋液、精拋液并搭配不同材質(zhì)的藍(lán)寶石研磨墊可達(dá)到事半功倍的效果。有效提神拋磨速率和良品率，經(jīng)客戶使用數(shù)據(jù)反饋：吉致電子藍(lán)寶石拋光液速率表現(xiàn)快于競品液；藍(lán)寶石襯底表面劃傷數(shù)量少于競品液；拋光后藍(lán)寶石襯底表面粗糙度優(yōu)于競品液。吉致電子為您解決藍(lán)寶石襯底拋光難題！

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