鈮酸鋰晶體拋光，用吉致電子CMP鈮酸鋰拋光液是有效方法

 鈮酸鋰晶體(分子式 LiNbO₃簡稱 LN)是一種具有鐵電、壓電、熱電、電光、聲電和光折變效應(yīng)等多種性質(zhì)的功能材料，是目前公認為光電子時代"光學硅"的主要候選材料之一。它在超聲器件、光開關(guān)、光通訊調(diào)制器、二次諧波發(fā)生和光參量振蕩器等方面獲得廣泛應(yīng)用。

  鈮酸鋰晶片的加工質(zhì)量和精度直接影響其器件的性能，因此鈮酸鋰的應(yīng)用要求晶片表面超光滑、無缺陷、無變質(zhì)層。目前,有關(guān)鈮酸鋰晶片的加工特性及其超光滑表面加工技術(shù)的研究較少，鈮酸鋰產(chǎn)品的開發(fā)和應(yīng)用因此受到制約。因此，開展鈮酸鋰晶片超光滑無損傷表面拋光加工技術(shù)研究，對于開發(fā)大直徑鈮酸鋰晶片，進一步提高硬脆材料精密與超精密加工水平，促進我國光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著深遠的意義。

  化學機械拋光(chemical mechanical polishing,簡稱CMP)技術(shù)是機械削磨和化學腐蝕的組合技術(shù)，它借助超微粒子的研磨作用以及拋光液的化學腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面。CMP技術(shù)綜合化學和機械兩方面的特性,既能消除材料表面前加工導致的損傷層,又能夠較好地實現(xiàn)表面全局平坦化，現(xiàn)已成為半導體加工行業(yè)的主導技術(shù)。研究表明,化學機械拋光是獲得高質(zhì)量鈮酸鋰加工表面的有效方法。

 吉致電子鈮酸鋰拋光液與拋光墊搭配使用，通過調(diào)節(jié)CMP機臺拋光壓力、轉(zhuǎn)速、流速等工藝參數(shù)對材料去除率的影響，獲得光滑的鈮酸鋰晶片高平坦表面。

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