碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學機械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。

  化學機械拋光步驟一般使用化學研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學反應及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。

  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研磨墊/拋光墊產(chǎn)品，組合搭配在碳化硅晶圓的研磨/精拋過程中。多年來，碳化硅襯底研磨液的配方一直是廣泛研究的主題，吉致電子拋光液配方的創(chuàng)新和改良仍在繼續(xù)。在客戶的實際使用中吉致的拋光漿料與拋光墊、墊調(diào)節(jié)工藝和晶圓模板或載體薄膜相結合，在CMP 耗材上做技術提升，推動 SiC 晶圓拋光耗材和工藝創(chuàng)新解決方案。

  碳化硅襯底制造的下一個主要過程是使用含有金剛石的研磨液和研磨片對晶圓進行機械研磨。典型工藝在雙面、單面或雙面和單面研磨工具的組合上進行。吉致電子的工藝解決方案，通過將合適的研磨片和研磨液與安裝的工具相結合，在材料去除率、晶圓形狀和表面質(zhì)量方面為客戶提供最大的工藝性能。通過金剛石機械研磨加工碳化硅晶圓方面的豐富經(jīng)驗可用于最大限度地提高加工效率。關注吉致電子，了解碳化硅CMP工藝最新解決方案。

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