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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子--磷化銦拋光液在半導(dǎo)體CMP制程中的應(yīng)用[ 2024-12-05 16:20 ]
無(wú)錫吉致電子科技提供的磷化銦襯底拋光液是一種專門用于半導(dǎo)體材料磷化銦表面處理的CMP化學(xué)機(jī)械拋光漿料。它包含特定的磨料和化學(xué)成分,能夠有效去除磷化銦表面的微小缺陷和不平整,確保獲得光滑、無(wú)損傷的表面。磷化銦拋光液在半導(dǎo)體制造過(guò)程中非常重要,它直接影響到最終器件的性能和穩(wěn)定性。磷化銦襯底拋光液的選擇和使用是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程,需要綜合考慮多個(gè)因素,且在CMP拋磨使用時(shí),需要根據(jù)磷化銦襯底的具體要求和拋光設(shè)備的特性來(lái)選擇合適的InP拋光液,并嚴(yán)格控制拋光過(guò)程中的參數(shù),如溫度、壓力和拋光時(shí)間等。首先,磷化銦CMP拋光液的成分
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[常見問(wèn)題]藍(lán)寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 2023-10-31 16:46 ]
  氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應(yīng)用廣泛,如藍(lán)寶石襯底的CMP拋光,為避免大粒徑磨料對(duì)工件造成劃傷,通常選用粒徑為50∼200nm,且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍(lán)寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤,需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果,吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專業(yè)用于藍(lán)寶石拋光,氧化鋁磨料具有分布窄,粒徑小,硬度高、尺寸穩(wěn)定性好,α相轉(zhuǎn)晶完全,團(tuán)聚小易分散等特點(diǎn)。  吉致電子對(duì)α-Al2O3顆粒的Zeta電位,以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類和質(zhì)量都有
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[應(yīng)用案例]Sic Slurry 吉致電子碳化硅晶圓拋光液[ 2023-04-11 11:07 ]
  吉致電子碳化硅精拋液,適用于Sic碳化硅晶圓襯底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度拋光、低粗糙度的特點(diǎn),SiC碳化硅襯底拋光液拋光后的晶圓表面無(wú)劃傷、霧等缺陷,碳化硅晶片平坦度高。吉致電子研發(fā)的碳化硅拋光液稀釋比高、拋光后表面易清洗,被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路襯底的制造中。  吉致電子SiC Slurry wafer拋光液具有很好的流動(dòng)性和分散性,不易結(jié)晶、易清洗、拋光效率高等優(yōu)點(diǎn),可以滿足碳化硅晶片的精拋加工要求,也可根據(jù)客戶工藝調(diào)整做定制化硅晶圓(si wafer)
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底拋光液的特點(diǎn)[ 2022-10-25 16:59 ]
碳化硅半導(dǎo)體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進(jìn)行拋光,以移除表面的缺陷與損傷。碳化硅(Sic)晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料,采用物理氣相傳輸法(PVT)生長(zhǎng)碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法)等生成外延片,最后制成相關(guān)器件。碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面,因?yàn)樘济媾c硅面的極性不同,所以化學(xué)活性也不同,故雙面cmp拋光速率具有差異。吉致電子碳化硅襯底拋光液(Sic Slurry)為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學(xué)機(jī)械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓
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