碳化硅半導體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進行拋光，以移除表面的缺陷與損傷。

碳化硅（Sic）晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。

碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面，因為碳面與硅面的極性不同，所以化學活性也不同，故雙面cmp拋光速率具有差異。

吉致電子碳化硅襯底拋光液（Sic Slurry）為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學機械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓表面去除率和平坦化性能，提供了非常好的表面光潔度?？墒固济媾c硅面的拋光速率接近，甚至使硅面的拋光速率大于碳面的拋光速率，并且不影響晶片幾何。吉致電子半導體拋光液與拋光墊組合可實現(xiàn)晶圓、襯底的雙面研磨、粗拋、精拋。達到碳化硅襯底表面平坦化。粗拋后RA值：0.38  精拋RA值：0.022

碳化硅襯底拋光液是均勻分散的液體，主要起到拋光、潤滑、冷卻的作用。粒徑分布均勻不沉淀、不結(jié)晶。高拋光速率的拋光液配方，快速高效同時保持均勻性、零亞表面損傷和低缺陷/劃痕。Slurry拋光液可根據(jù)要求設(shè)計定制解決方案。

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