- [行業(yè)資訊]杜邦I(lǐng)C1000拋光墊的特點及國產(chǎn)替代[ 2024-10-23 14:50 ]
- 在半導體晶圓及芯片的制造過程中,CMP是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝,而IC1000作為一種高性能的拋光墊,為 CMP工藝的順利進行提供了有力保障。 杜邦I(lǐng)C1000系列拋光墊能夠存儲和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域,通過slurry的流動和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進行。在化學機械拋光過程中,拋光液中的化學成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學反應,生成較易去除的物質(zhì),而dupont IC1000 Pad為這一化學反應提供了穩(wěn)定的場所。同時,IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品,如氧化產(chǎn)物
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- [吉致動態(tài)]吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用[ 2024-10-03 12:06 ]
- 吉致電子鈮酸鋰晶體化學機械拋光液在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關(guān)鍵材料。通過CMP化學機械拋光,能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度,為后續(xù)的半導體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如,在集成電路的生產(chǎn)中,鈮酸鋰晶體化學機械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì),達到表面平坦化效果,確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學表面提供高光潔度拋光,因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能,在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學元件,表面粗糙度極低
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- [常見問題]CMP拋光液---半導體拋光液種類有哪些[ 2024-08-09 09:01 ]
- 半導體拋光液種類有哪些?CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應用遠不止晶圓拋光,半導體使用的CMP制程包括氧化層(Oxide CMP)、多晶硅(Poly CMP)、金屬層(Metal CMP)。就拋光工藝而言,不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程,28nm制程需要12~13次CMP,進入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍,達到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化 STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開各個門電路,使各門電路之間互不導通,STI CMP工藝的目標是去除填充在淺溝槽中的
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- [常見問題]吉致電子CMP拋光墊的作用[ 2024-07-18 16:19 ]
- CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學和機械的共同作用下,工件表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。cmp拋光液中的化學成分與被拋磨工件材料表面進行化學反應,形成易去除的軟化層,拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。在CMP制程中,拋光墊的主要作用有:①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域,且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán);②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物(如拋光碎屑、拋光碎片等);③傳遞材料去除所需的機械載荷;④維持拋光過程所需的機械和化學環(huán)境。除拋光墊的力學性能以外,其表面組織
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- [行業(yè)資訊]LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液[ 2024-06-06 11:46 ]
- 鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現(xiàn)今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應用。 晶體材料的結(jié)構(gòu)與其光學性能息息相關(guān),鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料,具有很高的應用價值。LiTaO3晶體以它的化學性能穩(wěn)定高(不溶與水),居里點高于600℃,不易出現(xiàn)退極化現(xiàn)象,介電損耗低,探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性,成為熱釋電紅外探測器的應用材料。 經(jīng)過CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造,尤其以它良好的機電耦合、溫度系數(shù)等綜合性
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- [吉致動態(tài)]吉致電子主要業(yè)務及CMP產(chǎn)品有哪些[ 2024-06-04 16:54 ]
- 吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務及服務行業(yè)有:半導體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括:拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質(zhì)量嚴格管控,多年研發(fā)經(jīng)驗技術(shù),已為數(shù)家百強企業(yè)提供拋光解決方案并長期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列:半導體集成電路:Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /
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- [常見問題]CMP化學機械拋光在半導體領(lǐng)域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]
- 化學機械拋光(CMP)是半導體晶圓制造的關(guān)鍵步驟,這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整,達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,分別占CMP耗材49%和33%的價值量,CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果,對提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。 CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高,高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs
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- [應用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]
- 不銹鋼獲取高質(zhì)量的鏡面的傳統(tǒng)工藝主要采用的拋光技術(shù):電解拋光、化學拋光和機械拋光。隨著對鏡面不銹鋼表面質(zhì)量要求的不斷提高,同時為了提高拋光效率,新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學機械拋光 被廣泛應用。吉致電子針對不銹鋼表面鏡面處理,配制組成的CMP拋光液,通過化學溶液提高不銹鋼表面活性,同時進行高速的機械拋光,用來消除表面凹凸而獲得更高質(zhì)量的光潔鏡面。CMP化學機械拋光對環(huán)境污染最小,不銹鋼鏡面拋光質(zhì)量最好,快速有效降低原始工件表面粗糙度,經(jīng)過粗拋和精拋工藝能達到鏡面效果,無劃傷、無凹坑、無麻點橘皮。根據(jù)金屬的種
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- [常見問題]藍寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 2023-10-31 16:46 ]
- 氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應用廣泛,如藍寶石襯底的CMP拋光,為避免大粒徑磨料對工件造成劃傷,通常選用粒徑為50∼200nm,且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤,需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果,吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專業(yè)用于藍寶石拋光,氧化鋁磨料具有分布窄,粒徑小,硬度高、尺寸穩(wěn)定性好,α相轉(zhuǎn)晶完全,團聚小易分散等特點。 吉致電子對α-Al2O3顆粒的Zeta電位,以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類和質(zhì)量都有
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- [應用案例]氧化鋁陶瓷拋光液鏡面拋光[ 2023-10-20 16:16 ]
- 氧化鋁陶瓷片的表面拋光具有一定難度,原因有兩個,一是氧化鋁材質(zhì)硬度較高,難以研磨。其二,氧化鋁陶瓷表面吸光性較強,普通拋光難以達到鏡面效果。這就使得氧化鋁陶瓷拋光的難度無限擴大,針對這些加工難點,吉致電子已經(jīng)具備成熟的拋光工藝和產(chǎn)品,有完善的氧化鋁陶瓷拋光方案。 客戶的氧化鋁陶瓷片,要求做鏡面加工。拋光氧化鋁陶瓷都是采用鐵盤開粗,然后用白布拋光,但是這種效率非常慢,白布拋光要耗費30-40分鐘后才能達到鏡面,效率太低是批量加工無法接受的。吉致電子CMP拋光液和拋光墊結(jié)合,可以快速磨拋氧化鋁
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- [吉致動態(tài)]生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液[ 2023-09-28 16:01 ]
- 生物基因芯片拋光該選擇什么類型的研磨液/拋光液呢?通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等,但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過吉致電子研發(fā)和實驗,配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級磨料,粒徑均一穩(wěn)定,有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過CMP工藝可有效去除基底涂層,對基底無劃傷無殘留,吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國內(nèi)外同類產(chǎn)品相比,具有易清洗、表面粗糙度
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- [常見問題]半導體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別[ 2023-08-18 16:58 ]
- 常用的半導體拋光液,按拋光對象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點邏輯芯片的制造工藝,而鎢拋光液W slurry則大量應用于存儲芯片制造工藝,在邏輯芯片中用量較少。 銅拋光液,主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來腐蝕溶解銅表面,成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜,鈍化膜的形成可以保護腐蝕劑的進一步腐蝕,并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外,CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學試劑以調(diào)節(jié)PH值,為拋光過程
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- [行業(yè)資訊]半導體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中[ 2023-06-23 11:09 ]
- 國內(nèi)半導體制造的崛起加速推動了半導體材料的國產(chǎn)化進程。在政策、資金以及市場需求的帶動下,我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,帶動上游材料需求增長。先進制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增,國產(chǎn)替代進行中。 CMP拋光墊(CMP PAD)一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等,高精密研磨拋光墊應用于半導體制作、平面顯示器、玻璃光學、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè),目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等,其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n
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- [行業(yè)資訊]CMP在半導體晶圓制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]
- 化學機械拋光(CMP)是實現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝,通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用,利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講,半導體晶圓制程可分為前道和后道 2 個環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造,后道工藝是芯片的封裝測試。 前道加工領(lǐng)域CMP主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進封裝環(huán)節(jié)的拋光。 晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注
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- [常見問題]CMP常用化學拋光液有哪些[ 2023-05-17 10:42 ]
- CMP技術(shù)(化學機械研磨)是現(xiàn)代半導體制造中非常重要的一項技術(shù),在半導體制造中的應用最多,通過CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì),達到工件表面平坦化,保證晶體管等器件的性能穩(wěn)定性。 拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分,它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物,以達到平坦化的效果。CMP常用化學拋光液有哪些?常見的CMP化學拋光液有氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鈰(CeO2)氮化硅(Si3N4)等。不同的
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- [常見問題]藍寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實現(xiàn)高平坦度表面[ 2023-04-26 11:10 ]
- 吉致電子藍寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍寶石拋光液。專業(yè)用于藍寶石襯底、外延片、窗口、藍寶石wafer的減薄和拋光。藍寶石拋光液由純度高的磨粒、復合分散劑和分散介質(zhì)組成,具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點。 通過CMP工藝搭配藍寶石專用slurry可實現(xiàn)藍寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會對加工件造成物理損傷,達到精密加工。藍寶石CMP拋光液的低金屬的成分,可以有效防止產(chǎn)品受到污染。 &n
- http://m.jeffvon.com/Article/lbsjyzmyms_1.html
- [應用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]
- 根據(jù)半導體行業(yè)工藝不同,CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學機械拋光液、阻擋層化學機械拋光液、銅化學機械拋光液、硅化學機械拋光液、鎢化學機械拋光液、TSV化學機械拋光液、淺槽隔離化學機械拋光液等。 SIC CMP拋光液是半導體晶圓制造過程中所需主要材料之一,在碳化硅材料工件打磨過程中起著關(guān)鍵作用,拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。 近年來,在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下,碳化硅襯底應用領(lǐng)域不斷擴大、市場規(guī)模不斷擴大,進而帶動
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- [行業(yè)資訊]CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點及應用[ 2023-03-03 14:01 ]
- 吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點:(1)磨料類型多樣化,包含單晶、多晶、類多晶及納米級金剛石等;(2)金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型;(3)金剛石研磨液粘度可調(diào)整,包含低粘度、中等粘度和高粘度;吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應用領(lǐng)域:1、拋光液CMP半導體晶片加工:藍寶石、碳化硅、氮化鎵等半導體晶片;2、拋光液陶瓷加工:氧化鋯指紋識別片、氧化鋯陶瓷手機后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工:不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠家,產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進口slurry,CMP拋光液粒度規(guī)
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- [吉致動態(tài)]CMP拋光液---納米氧化鈰拋光液的優(yōu)點[ 2023-03-03 09:15 ]
- 通?;瘜W機械研磨拋光工藝使用的CMP拋光液有金剛石拋光液、氧化硅拋光液、氧化鋁拋光液及氧化鈰拋光液(又稱稀土拋光液)。 納米氧化鈰為水性液體是吉致電子采用先進的分散工藝,將納米氧化鈰粉體分散在水相介質(zhì)中,形成高度分散化、均勻化和穩(wěn)定化的納米氧化鈰水性懸浮液。1.在拋光材料應用中,納米CeO2拋光液相對硅溶膠,具有拋光劃傷少、拋光速度快、易清洗良品率高等優(yōu)勢,且PH中性,使用壽命長、對拋光表面污染小,不易風干。2.在拋光軍用紅外激光硅片、異型硅、超薄硅片方面上,尤其是拋光超薄硅片,納米氧化鈰
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- [吉致動態(tài)]吉致電子常見的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]
- CMP 化學機械拋光液slurry的主要成分包括:磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品適用場景也有所不同,分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含:金屬絡合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含:各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。 根據(jù)拋光對象不同,拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中,銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲芯片制造過程,在10nm 及以下技術(shù)節(jié)點中,鈷將部分代替銅作為導線;硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研
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