- [行業(yè)資訊]半導體晶圓CMP化學機械研磨拋光的原因[ 2024-06-24 17:19 ]
- 什么是CMP化學機械研磨拋光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其實為化學與機械研磨（C&MP）的意思，化學作用與機械作用平等。目前CMP已成為半導體制程主流，其重要的原因主要有二：①為了縮小芯片面積，因此采用集成度高、細線化的多層金屬互連線（七層以上），因線寬極細，且需多層堆疊，故光刻制程即為一關鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平，平坦度差，則會影響光刻精確度，因此需以CMP達成晶圓上金屬層間之全面平坦化（Global Planarization）。②為了降低元件之電
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http://m.jeffvon.com/Article/bdtjycmphx_1.html
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