您好,歡迎來(lái)到吉致電子科技有限公司官網(wǎng)!
收藏本站|在線留言|網(wǎng)站地圖

吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

訂購(gòu)熱線:17706168670
熱門(mén)搜索: 阻尼布拋光墊復(fù)合拋光皮復(fù)合拋光墊粗拋皮粗拋墊
吉致電子專注金屬拋光、陶瓷拋光、半導(dǎo)體拋光、硬盤(pán)面板拋光
當(dāng)前位置:首頁(yè)» 行業(yè)資訊 » 半導(dǎo)體晶圓CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光的原因

半導(dǎo)體晶圓CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光的原因

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2024-06-24 17:19【

 

什么是CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光?
CMP(Chemical Mechanical Polishing)其實(shí)為化學(xué)與機(jī)械研磨(C&MP)的意思,化學(xué)作用與機(jī)械作用平等。

CMP化學(xué)機(jī)械研磨.jpg

 

目前CMP已成為半導(dǎo)體制程主流,其重要的原因主要有二:
①為了縮小芯片面積,因此采用集成度高、細(xì)線化的多層金屬互連線(七層以上),因線寬極細(xì),且需多層堆疊,故光刻制程即為一關(guān)鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平,平坦度差,則會(huì)影響光刻精確度,因此需以CMP達(dá)成晶圓上金屬層間之全面平坦化(Global Planarization)。
②為了降低元件之電阻電容延遲(RC Delay),提高運(yùn)算速度,因此將內(nèi)聯(lián)機(jī)由電阻系數(shù)較高之鋁改為較低之銅。但銅不易產(chǎn)生高揮發(fā)性之化合物,以目前技術(shù),不易進(jìn)行量產(chǎn)之等離子蝕刻,所以目前多采鑲嵌制程,即先在絕緣層上定義所需圖案,再沉積銅金屬,最后再以CMP將多余銅金屬磨除。

CMP拋光液.jpg

機(jī)械研磨與化學(xué)作用,而達(dá)成磨平晶圓上之金屬層、阻障層、絕緣層。晶圓上不平表面與研磨墊(Pad)互相接觸研磨,兩者之間并添加由酸性或堿性研磨液(Solution)與超細(xì)固體研磨粒(Abrasive)組成之研磨漿(Sluny)。藉由研磨粒之「機(jī)械」研磨磨與研磨液之「化學(xué)」作用,二種作用同時(shí)進(jìn)行,而將不平表面去除,使表面平坦。
CMP主要消耗品為載具膜(Carrier Film)、研磨墊pad及研磨漿slurry。廣義CMP包含CMP后清潔(Post-CMP Cleaning)。

CMP工藝高效穩(wěn)定、工藝組合靈活,可實(shí)現(xiàn)晶圓納米級(jí)全局平坦化,滿足先進(jìn)制程技術(shù)需求,已在集成電路、先進(jìn)封裝、大硅片等制造工藝中批量應(yīng)用。

無(wú)錫吉致電子科技有限公司

http://m.jeffvon.com/

聯(lián)系電話:17706168670

郵編:214000

地址:江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新榮路6號(hào)

相關(guān)資訊