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[行業(yè)資訊]SIT Slurry平坦化流程與方法[ 2022-12-15 15:44 ]
淺槽隔離(shallow trench isolation),簡(jiǎn)稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝,通常用于亞0.25um工藝以下,利用掩模完成選擇性氧化,主要絕緣材料是淀積SiO?,淺槽隔離主要分為三個(gè)部分:槽刻蝕,氧化硅填充,CMP拋光液平坦化。一,槽刻蝕1,隔離氧化硅生成:氧化硅用于保護(hù)有源區(qū)在去掉氮化硅時(shí)免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積:氮化硅是堅(jiān)硬的掩模材料,有助于保護(hù)STI氧化硅淀積過(guò)程中保護(hù)有源區(qū);在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料3,淺槽刻蝕:用氟基和氯基氣體
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