半導體CMP工藝拋光液---STI淺槽隔離拋光液slurry的應用:

淺槽隔離（shallow trench isolation），簡稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個部分：槽刻蝕，氧化硅填充，氧化硅平坦化。

一，槽刻蝕

1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護有源區(qū)在去掉氮化硅時免受化學污染

2,氮化硅(Si₃N₄)淀積：氮化硅是堅硬的掩模材料，有助于保護STI氧化硅淀積過程中保護有源區(qū)；在化學機械拋光(CMP)中充當阻擋材料

3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體離子刻蝕

二，氧化硅（SiO₂）填充

1,溝槽襯墊氧化硅：高溫生長一層150A的氧化硅

2,淺槽CVD氧化物填充：淀積氧化硅

三，氧化硅平坦化

  吉致電子STI Slurry淺槽隔離拋光液適用于集成電路、半導體工件當中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型凹陷可調，低缺陷等特性。可應用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。

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