通過往期的資訊大家都又了解到化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)目前科技發(fā)展起到廣泛的拋光作用，那么我們在更加的了解下CMP的技術(shù)，化學(xué)機(jī)械拋光起到重要作用的耗材有兩種拋光墊、拋光液、利用了磨損中的“軟磨硬”的原理，就是用較軟的材料來進(jìn)行拋光以達(dá)到高質(zhì)量的表面。在一定的壓力及拋光液的存在下，被拋光的元件相對(duì)于拋光墊作相對(duì)運(yùn)動(dòng)，借助拋光液的納米顆粒磨料拋光及氧化的作用下進(jìn)行高精密的平面拋光。

而上普遍認(rèn)為，器件特征尺寸在0.35 5m以下時(shí)，須進(jìn)行全局平面化以保證光刻影像傳遞的精確度和分辨率，而CMP是目前幾乎一的可以提供全局平面化的技術(shù)。其中拋光液的物理化性質(zhì)、顆粒大小、顆粒分散度及穩(wěn)定性和拋光墊的材質(zhì)、平坦度、硬度、密度、蘊(yùn)含量等等都對(duì)拋光效果有緊密的相關(guān)。CMP作用機(jī)理目前還沒有完整的從微觀角度的理淪解釋。但從宏觀上來說，可以解釋如下:將旋轉(zhuǎn)的被拋光晶片壓在與其同方向旋轉(zhuǎn)的彈性拋光墊上，而拋光漿料在晶片與底板之間連續(xù)流動(dòng)。上下盤高速反向運(yùn)轉(zhuǎn)，被拋光晶片表面的反應(yīng)產(chǎn)物被不斷地剝離，新拋光漿料補(bǔ)充進(jìn)來，反應(yīng)產(chǎn)物隨拋光漿料帶走。新裸露的品片平面又發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)物再被剝離下來而循環(huán)往復(fù)，在襯底、磨粒和化學(xué)反應(yīng)劑的聯(lián)合作用下，形成精表面，要獲得品質(zhì)好的拋光片，須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。

為了進(jìn)一步更加的了解CMP作用的本質(zhì)，近年來我國外有很多關(guān)于CMP作用微觀機(jī)理的研究。列如清華人學(xué)王學(xué)者、路學(xué)者的研究表明中:CMP中主要是低頻、大波長的表面起伏被逐漸消除，而小尺度上的粗糙度并未得到顯著改善;當(dāng)顆粒直徑在10-25 nm的范圍時(shí)，粒徑和粗糙度不存在單調(diào)的增減關(guān)系;桔皮的產(chǎn)生主要是拋光液中堿濃度過高所致。

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