CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？

  CMP拋光液越來(lái)越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門(mén)檻和市場(chǎng)壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對(duì)CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會(huì)要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來(lái)了更多的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。

  目前，第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導(dǎo)體材料可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。目前，市場(chǎng)火熱的5G基站、新能源汽車(chē)和快充等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

  CMP工作原理是在一定壓力下通過(guò)拋光液、被拋光的半導(dǎo)體晶圓對(duì)拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，借助納米磨料的機(jī)械研磨作用與氧化劑、催化劑等的化學(xué)腐蝕作用之間的有機(jī)結(jié)合，將物質(zhì)從晶圓表面逐層剝離，使被拋光的晶圓表面達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。也是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。

吉致電子CMP拋光液的種類:硅材料拋光液、藍(lán)寶石拋光液、砷化鎵拋光液、鈮酸鋰拋光液、鍺拋光液、陶瓷覆銅板研磨液、集成電路多次銅布線拋光液、集成電路阻擋層拋光液、不銹鋼拋光液、氧化鋁拋光液、鋁合金拋光液、LOGO拋光液、銅拋光液、金剛石拋光液、氧化鈰研磨液等。免費(fèi)樣品可咨詢：17706168670

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